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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關掉后,所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。
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在MCU的使用中,經常遇到需要存儲參數或掉電保持數據等功能。其中,Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
UFS(Universal Flash Storage)是一種用于存儲的閃存標準,而不是內存標準。它是一種閃存存儲技術,用于移動設備和其他便攜式電子設備...
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元,對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
適合高級汽車市場ADAS應用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹
隨著萬物智聯時代的到來,智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbi...
磁性隧道結(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實現雙穩態隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
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