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標(biāo)簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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ufs是內(nèi)存還是閃存 手機(jī)ufs閃存有什么作用
UFS(Universal Flash Storage)是一種用于存儲的閃存標(biāo)準(zhǔn),而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲技術(shù),用于移動設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 9362 0
關(guān)于Gen-Z語義存儲(memory-semantic)體系架構(gòu)探討
不要與人口學(xué)中的千禧世代搞混了,Gen-Z是一種語義存儲(memory-semantic)體系架構(gòu),它已經(jīng)發(fā)展到了一定程度,需要更好地定義來適應(yīng)更大規(guī)模...
2020-10-23 標(biāo)簽:cpu加速器數(shù)據(jù)中心 7337 0
隨著消費(fèi)者要求新產(chǎn)品定期增加功能或提高應(yīng)用靈活性,開發(fā)人員對修改系統(tǒng)應(yīng)用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看,這預(yù)示著可能需要用性能更高、...
SAP HANA 也對介質(zhì)的特點(diǎn)做了仔細(xì)的考量,結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點(diǎn)(例如 容量大、讀多寫少等),很自然的,先把 DCPMM 當(dāng)做字節(jié)尋址的持...
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)...
2017-12-18 標(biāo)簽:非易失性存儲器 5594 0
芯片設(shè)計(jì)中ROM的概念、分類、設(shè)計(jì)流程
在芯片設(shè)計(jì)中,ROM(只讀存儲器)是一個非常重要的存儲元件。
2023-10-29 標(biāo)簽:緩沖器ROM芯片設(shè)計(jì) 4495 0
本文解釋了如何使用現(xiàn)成的串行 EEPROM 的 EPROM 仿真模式以及不尋常的編碼方案來解決問題。 動機(jī) 出于保修原因,有時需要對某些事件進(jìn)行計(jì)數(shù)和記...
Can-Bus總線技術(shù)是“控制器局域網(wǎng)總線技術(shù)(Controller Area Network-BUS)”的簡稱,它具有極強(qiáng)的抗干擾和糾錯能力,最早被...
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
對于某些應(yīng)用,數(shù)字電位器需要非易失性存儲功能。兩種器件類型(易失性和非易失性存儲器)在市場上都已確立。
2021-05-15 標(biāo)簽:數(shù)字電位器數(shù)模轉(zhuǎn)換器非易失性存儲器 3424 0
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別,硬盤屬于“ 非易失性存儲器”,而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲器”,屬于“易失性存儲設(shè)備“。
數(shù)字電位器如何解決電路調(diào)節(jié)問題
電位器還能繼續(xù)使用的原因之一是,它們的設(shè)置在電源復(fù)位時不會丟失;不過數(shù)字電位器已經(jīng)消除了這一缺陷。
2022-07-28 標(biāo)簽:微控制器運(yùn)算放大器數(shù)字電位器 3351 0
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