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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹

非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹

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2018-12-23 13:31:0010224

關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的區(qū)別詳解

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003

非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對(duì)比

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357

SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:132878

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰(shuí)將更勝一籌

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn),并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器(SRAM,DRAM,NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847

淺談幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時(shí),他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:121516

PCM與MRAM將在非易失性存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位

MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型(相變存儲(chǔ)器和磁RAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:162516

關(guān)于易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹

存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 非易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:135413

非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash的特點(diǎn)都有哪些

Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器,其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046

Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器的五大優(yōu)勢(shì)介紹

溫度條件下運(yùn)行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車,工業(yè),軍事和太空應(yīng)用,這些對(duì)于MRAM開發(fā)人員來說是重要的部分。 那么MRAM的優(yōu)勢(shì)究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來看看: 首先,MRAM是非易失性存儲(chǔ)器,也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一
2021-03-03 16:40:05955

AN-729: AD5254四通道256位I2C兼容型非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位計(jì)評(píng)估套件

AN-729: AD5254四通道256位I2C兼容型非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位計(jì)評(píng)估套件
2021-03-21 08:03:234

非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:486

非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:0915

AD5235:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5235:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 10:42:5317

ADN2860:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器

ADN2860:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-04-19 13:28:384

AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器

AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712

AD5233:非易失性存儲(chǔ)器,四位64位電位器數(shù)據(jù)表

AD5233:非易失性存儲(chǔ)器,四位64位電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-25 20:46:316

AD5232:非易失性存儲(chǔ)器,雙256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5232:非易失性存儲(chǔ)器,雙256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 20:14:471

MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲(chǔ)器,它有哪些特點(diǎn)

產(chǎn)品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲(chǔ)器,位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序,具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路
2021-04-30 16:33:21647

ADN2850:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電阻器數(shù)據(jù)表

ADN2850:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電阻器數(shù)據(jù)表
2021-04-30 21:13:242

AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶手冊(cè)

AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶手冊(cè)
2021-05-17 13:58:376

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

AD5231:非易失性存儲(chǔ)器,1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5231:非易失性存儲(chǔ)器,1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:055

AD5255:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器

AD5255:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-05-18 19:29:468

非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)

非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:242

富士通FRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器(如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

存儲(chǔ)器介紹

存儲(chǔ)器介紹(嵌入式開發(fā)英文怎么說)-存儲(chǔ)器介紹,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:10:0218

存儲(chǔ)器理解

所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM,而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:0437

非易失性存儲(chǔ)器FRAM的常見問題解答

什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:540

非易失性存儲(chǔ)器是如何發(fā)展起來的?

DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們?cè)賮砜纯窗雽?dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲(chǔ)器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:131347

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

Flash存儲(chǔ)器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

  Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282620

如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器呢?

如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49507

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