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驅(qū)動電壓

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　　驅(qū)動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動電壓技術(shù)

轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場解釋：轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場，即低于換相速度時，步進(jìn)電動機(jī)會產(chǎn)生失步。這是因為輸入電動機(jī)的電能...

2023-10-20 標(biāo)簽：電動機(jī)步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)電動機(jī) 3830 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直...

2022-06-02 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動電壓 3659 0

掌握MOS管規(guī)格書，參數(shù)縮寫全解析

MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標(biāo)簽：電流 MOSFET MOS管 3419 0

共模/差模/偶模/奇模你能區(qū)分嗎？

模態(tài)是指傳輸線對的特殊激勵狀態(tài)。兩線上有相同的驅(qū)動電壓時為偶模；兩線上有相反的驅(qū)動電壓時為奇模。

2023-12-06 標(biāo)簽：阻抗傳輸線差分信號 3342 0

對MOS管在開關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析

MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

2022-09-29 標(biāo)簽：MOS管米勒電容驅(qū)動電壓 3095 0

針對一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)的兩種降低驅(qū)動電壓RF MEMS開關(guān)方法

通過理論分析和仿真，并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對比，驗證了增大局部驅(qū)動面積和降低彈性系數(shù)可以減小懸臂梁開關(guān)的驅(qū)動電壓。

2020-08-15 標(biāo)簽：RF MEMS開關(guān)驅(qū)動電壓 2978 0

SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動電壓 SiC MOSFET 2921 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 2811 0

igbt驅(qū)動電壓過高過低的后果

IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...

2024-07-25 標(biāo)簽：發(fā)射極 IGBT驅(qū)動驅(qū)動電壓 2762 0

總電壓采樣電路中使用MOS作為開關(guān)的問題

使用高壓MOS作為開關(guān)，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應(yīng)用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管 MOS管 VDS 2593 0

為什么電源占空比會影響驅(qū)動電壓

電源占空比對驅(qū)動電壓的影響是一個復(fù)雜的電子技術(shù)問題，涉及到許多電子元件和電路設(shè)計的原理。電源占空比的定義和作用電源占空比是指在一定時間內(nèi)，電源輸出的...

2024-08-15 標(biāo)簽：電源占空比高電平 2577 0

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析

本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 可變電阻 2357 0

igbt焊機(jī)驅(qū)動電壓怎樣測量

IGBT焊機(jī)驅(qū)動電壓的測量是一個專業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問題，涉及到電子電路、測量技術(shù)、焊接工藝等多個方面。一、IGBT焊機(jī)概述 IGBT（Insulated...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管電壓信號 2310 0

igbt如何選擇合適的驅(qū)動電壓

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT 電力電子驅(qū)動電壓 2306 0

igbt驅(qū)動波形主要看什么參數(shù)

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅(qū)動波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中，我們將介紹IG...

2024-07-25 標(biāo)簽：驅(qū)動 IGBT 晶體管 2267 0

為什么小功率無刷直流電機(jī)中的MOS管會燒毀？

若該電阻太大，因為MOS管會有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管電壓控制 2267 0

基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)實現(xiàn)每比特阿焦級的電光調(diào)制器

MIT研究小組基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)，實現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調(diào)制器，創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管晶體管光伏效應(yīng) 2206 0

二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲分析方法在低噪聲放大器中的應(yīng)用

系統(tǒng)中的噪聲限制了一個電路能夠正確處理的最小信號電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOS管混頻器 VCO 2197 0

什么會影響MOS管驅(qū)動電壓降低呢？

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動電壓降低可能會受到以下因素的影響

2023-09-05 標(biāo)簽：電容器 MOS管電源電壓 2115 0

什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性

功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由...

2023-02-16 標(biāo)簽：電流功率MOSFET 驅(qū)動電壓 2037 0

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