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標(biāo)簽 > 驅(qū)動電阻
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多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計中,驅(qū)動電阻配置對系統(tǒng)運行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動電阻的大小決定了開關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場效應(yīng)晶體管 5052 0
PWM(Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)是一種常見的電子控制技術(shù),廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、LED照明、電源管理等領(lǐng)域。在PWM驅(qū)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動電路的設(shè)計對于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動電路中的一個重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動驅(qū)動電阻 2695 0
MOS管驅(qū)動電阻的測試方法主要涉及到對驅(qū)動電路中電阻值的測量,以確保其符合設(shè)計要求,從而保障MOS管的正常工作。簡單介紹幾種常見的測試方法,并給出相應(yīng)的...
MOS管驅(qū)動電阻的大小對其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個電路的性能表現(xiàn)。以下是對MOS管驅(qū)動電阻大小影響...
三極管是我們?nèi)粘TO(shè)計電子電路非常常用的電子元器件。在課本里面我們學(xué)到三極管它本身有三個工作狀態(tài),分別為:截止?fàn)顟B(tài),放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。但是在日常應(yīng)用中我...
當(dāng)三極管基極偏置電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,基極電流Ib=0時,集電極Ic和發(fā)射極Ie沒電流(或只有微弱的弱電電流)通過,此時三極管失去了電流放大作用,我...
2023-08-10 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路驅(qū)動電阻 1384 0
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的,實際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
今天學(xué)習(xí)LED開關(guān)電源里面一個細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動電阻為啥要并聯(lián)一個二極管。
2023-07-04 標(biāo)簽:led二極管開關(guān)電源 1.2萬 0
對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單,只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計,雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計 3275 0
超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)特性有什么影響
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...
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