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車(chē)規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多
開(kāi)關(guān)電源芯片U52143的主要特性及功能介紹
開(kāi)關(guān)電源芯片U52143是一款應(yīng)用于原邊采樣和控制的高性能開(kāi)關(guān)電源芯片。其內(nèi)置功率BJT,可用于11W以?xún)?nèi)的離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品。
2024-02-29 標(biāo)簽:過(guò)壓保護(hù)BJT開(kāi)關(guān)電源芯片 1684 0
ADALM2000實(shí)驗(yàn):發(fā)射極跟隨器(BJT)
本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究簡(jiǎn)單的NPN發(fā)射極跟隨器,有時(shí)也被稱(chēng)為共集電極配置。
一個(gè)以達(dá)林頓模式連接的BJT發(fā)射極-跟隨器電路
在下圖中,我們可以看到一個(gè)以達(dá)林頓模式連接的BJT發(fā)射極-跟隨器電路。該對(duì)的基極通過(guò)電容C1連接到交流輸入信號(hào)。
微電子模擬器件工作運(yùn)行規(guī)律,對(duì)于初學(xué)者來(lái)言,看不見(jiàn)摸不著,理解起來(lái)難度大。針對(duì)這種情況,對(duì)于初學(xué)者有沒(méi)有一種更好的理解方式呢?值得深思。純屬個(gè)人觀念,微...
2024-01-04 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 1603 0
引言:BJT從導(dǎo)通到關(guān)閉存在一定的延時(shí),在特定的場(chǎng)景中比如BJT電平轉(zhuǎn)換,高頻信號(hào)調(diào)理,這種延時(shí)存在很大的隱患,本節(jié)簡(jiǎn)述如何消除BJT的關(guān)斷延時(shí)。
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,這意味著它通過(guò)使用電場(chǎng)來(lái)控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子:柵極、漏極和源極。漏極和...
首先介紹了雙極性晶體管(BJT)的工作原理,接著演示了晶體管的伏安(I-V)特性,電流增益(current gain)和輸出電導(dǎo)(conductance...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效...
昨天,主要介紹了基本放大電路的飽和工作狀態(tài)。我們看到,飽和狀態(tài)時(shí),BJT的B-E、C-E間近似短路(忽略二極管導(dǎo)通壓降),在后續(xù)的學(xué)習(xí)中,我們會(huì)看到這個(gè)...
如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開(kāi)關(guān)?
MOS類(lèi)型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì),比如壓降小,損耗低,控制簡(jiǎn)易,使用場(chǎng)景也比BJT類(lèi)型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛
2023-06-07 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)BJT 1411 0
前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下,電流(包含電子電流和空穴電流)與電荷分布之間的關(guān)系,下面我們來(lái)看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。
因?yàn)殡娮訌馁M(fèi)米能級(jí)高位向低位流動(dòng),因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費(fèi)米能級(jí)的彎曲方向,這里將BJT發(fā)射極到集電極的導(dǎo)帶及價(jià)帶能帶示意圖繪制如圖所示。
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