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雙極結(jié)和場效應(yīng)晶體管(BJT和FET)及PN結(jié)二極管等知識詳解
晶體管”是指可以實(shí)施開關(guān)和擴(kuò)展的半導(dǎo)體器材。它可以用作開關(guān)或擴(kuò)展器的電子設(shè)備稱為有源組件。電開關(guān)和擴(kuò)展并不是從1948年晶體管的發(fā)明開始的。但是,本發(fā)明...
如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)?
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸...
2023-06-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美電路設(shè)計(jì) 4073 0
關(guān)于BJT的電源仿真設(shè)計(jì)解決方案
在本教程中,我們將看到涉及使用BJT的電源的仿真,尤其要注意性能和效率。所使用的主要電子軟件是LTspice,這是一種高性能SPICE仿真軟件,原理圖捕...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
如上圖所示,如果硬件電路用 BJT方式供電,沒有外部單獨(dú)獨(dú)立的 1.5v電源給到 V15引腳,而是通過內(nèi)部的S32K3的內(nèi)部 VRC_CTRL 引腳控制...
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱之為雙極型晶體管(BJT),又稱為半導(dǎo)體三極管,簡稱晶體管或三極管。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管應(yīng)用電路晶體管 3953 0
淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(二)
而眾多改變反偏結(jié)擊穿電壓的方法無論是改變摻雜濃度還是改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其本質(zhì)都是通過改變反偏結(jié)空間電荷區(qū)的電場分布來改變Trigger Voltage。
在這一小節(jié)中,我們詳細(xì)分析BJT的共基組態(tài)電路。在BJT的共基組態(tài)中,“輸入端口”和“輸出端口”共用BJT的基極端子(故稱為“共基”),形成一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)。
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個(gè)非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 3734 0
MOSFET相對于晶體管三極管BJT的應(yīng)用優(yōu)勢有哪些?
場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管(晶體管三極管BJT)是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許...
2023-02-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管BJT 3475 0
輸入端口vi和輸出端口vo共用BJT的基極端子,VEE和RE構(gòu)成發(fā)射結(jié)的偏置電壓,VCC和RC構(gòu)成集電結(jié)的偏置電壓。和上小節(jié)的共基組態(tài)相比,輸入端和輸出...
絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT?
公式表明Vt與絕對溫度T成正比(PTAT)。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管,可以消除Vt對gm的影響。
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