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標(biāo)簽 > cissoid
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CISSOID為Honeywell將停產(chǎn)高溫微電子產(chǎn)品的客戶提供相應(yīng)替代品
高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID今日宣布:該公司已準(zhǔn)備好幫助客戶免受Honeywell公司宣布限期最后接單后,即將停產(chǎn)其高溫微電子產(chǎn)品...
CISSOID推出新型柵極驅(qū)動器板 提供全面基于碳化硅解決方案
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化...
據(jù)外媒報(bào)道,比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動出行。
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 推動碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與中國科學(xué)院電工研究所(簡稱中科院電工所)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開展基于碳化硅(Si...
CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)
CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術(shù)難題以...
CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO
高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO,它可在-55~225℃的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠的運(yùn)行,并輸出高達(dá)60A的...
CISSOID 向 Thales 交付首個碳化硅( SiC )智能功率模塊
比利時,蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avion...
CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成合作 攜手推進(jìn)基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)
高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳...
CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 CISSOID,在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,介紹了 VENUS,他們的新系列高溫...
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內(nèi)置的柵極驅(qū)動器包括3個板載隔離電源(每相1個),可提供每相高達(dá)5W的功率,從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 共同推動碳化硅功率器件應(yīng)用
高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與中國科學(xué)院電工研究所(簡稱中科院電工所)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開展基于碳化硅(SiC)功率模塊...
CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開關(guān)
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關(guān) JUPITER ,據(jù)稱是首款以簡單0/5V邏輯電平無縫閘極控制的高溫碳化硅...
2011-04-14 標(biāo)簽:電源開關(guān)CISSOIDJUPITER 1423 0
實(shí)現(xiàn)SiC器件與高速電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配
為了追求更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,在工業(yè)和新能源汽車等領(lǐng)域,系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們逐步開始采用SiC器件替代傳統(tǒng)的、基于硅(Si)工藝的IGBT器件。
2020-03-30 標(biāo)簽:CISSOID電控系統(tǒng)sic器件 1405 0
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 以共同推動寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)及廣泛應(yīng)用
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上。
2019-11-15 標(biāo)簽:新能源汽車CISSOID功率半導(dǎo)體 1376 0
CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2...
CISSOID推出高溫30V小訊號P-FET場效應(yīng)管
CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET
2010-12-20 標(biāo)簽:CISSOID 1181 0
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智...
航晶微電子和 CISSOID宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系聯(lián)合開發(fā)高可靠高溫電子模塊
比利時 Mont-Saint-Guibert 與中國西安 —— 2016 年 1 月 14 日。高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 與中國...
CISSOID推出瑞亞單芯片雙信道信號隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器
CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了瑞亞,一個可在-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作的2.5kV電流隔離數(shù)據(jù)傳輸方案。CHT-瑞亞...
CISSOID新型柵極驅(qū)動器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...
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