cmos晶體管知識(shí)

• CMOS晶體管的尺寸規(guī)則

  CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，它涉及到多個(gè)方面的考量，包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝

  2024-09-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 CMOS晶體管 2687 0

• CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

  CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)

  2024-09-13 標(biāo)簽： 晶體管 CMOS晶體管 MOSFET晶體管 2304 0

• CMOS晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

  CMOS晶體管，全稱為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組成部分，尤其在計(jì)算機(jī)處理器和集成電路制造中

  2024-09-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 CMOS晶體管 3024 0

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  射頻和微波系統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)表征和建模方案

  預(yù)失真器的數(shù)字組件，可以實(shí)現(xiàn)為現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 （FPGA） 或定制 IC，而這些組件又可以通過高級(jí)描述語言（如 Ver

  2024-01-04 標(biāo)簽： 射頻 混合信號(hào) CMOS晶體管 1242 0

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  聊一聊FDSOI工藝中的latch up（pseudo）

  一般多電源軌的ESD方案如圖1所示。最左側(cè)兩個(gè)diode用于HBM（Human Body Model）保護(hù)

  2023-10-31 標(biāo)簽： ESD保護(hù) CDM CMOS晶體管 3832 0

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  室溫超導(dǎo)是否可以幫助降低芯片功耗呢？

  在超導(dǎo)體的臨界溫度以下，其電阻值降為零。銅的電阻率為1.7x10^-8 Oh*m, 雖然其數(shù)值較小，但是在芯片設(shè)計(jì)中要考

  2023-09-19 標(biāo)簽： 芯片設(shè)計(jì) 電源電壓 CMOS晶體管 1325 0

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  在Virtuoso中認(rèn)識(shí)PMOS管和NMOS管

  具體的在版圖設(shè)計(jì)中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧

  2023-09-12 標(biāo)簽： 反相器 CMOS晶體管 Virtuoso 8011 0

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