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標(biāo)簽 > ddr3
DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
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雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,...
SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對比及其特點分析
DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Doubl...
基于FPGA的DDR3用戶接口設(shè)計技術(shù)詳解
本文詳細(xì)介紹了在Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設(shè)計思想和設(shè)計方案。針對高速實時數(shù)字信號...
在DDR的PCB設(shè)計中,一般需要考慮等長和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。等長比較好處理,給出一定的等長精度通常是PCB設(shè)計師是能夠完成的。但對于不同的速率的DDR,選擇合...
2017-11-08 標(biāo)簽:ddr3菊花鏈拓?fù)?/a> 2.5萬 0
經(jīng)過2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn),SSD已經(jīng)進(jìn)行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,今年內(nèi)存降價沒戲了,內(nèi)存價格上漲導(dǎo)致DDR3內(nèi)存卷土重來。
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,...
與臺式機(jī)相同,筆記本內(nèi)存同樣DDR3與DDR4內(nèi)存不可混用,也有防呆設(shè)計,DDR3針腳為204pin,而DDR4針腳為260pin。當(dāng)然防呆不防傻,大力...
第一步,確定拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)(僅在多片DDR芯片時有用) 首先要確定DDR的拓補(bǔ)結(jié)構(gòu),一句話,DDR1/2采用星形結(jié)
2017年個人認(rèn)為從某種程度上是PC DIY正式衰落的元年,其中很大的因素就是因三星為首的一眾廠商的壟斷內(nèi)存和閃存的生產(chǎn),導(dǎo)致內(nèi)存、SSD、顯卡(部分原...
DDR3、DDR4、DDR5是計算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。以下是它們之間的...
2024-11-29 標(biāo)簽:DDR3數(shù)據(jù)DDR4 8984 0
頻率一直是內(nèi)存產(chǎn)品的重要參數(shù)之一,畢竟頻率是關(guān)系到性能的重要展現(xiàn)。
電阻在電路是最常見的,使用的原理也是最簡單的:歐姆定律。 R=U/II=U/R 從歐姆定律看出,當(dāng)電壓一定,流過電阻的電流是有電阻的阻值決定。這就是電阻...
2020-04-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻DDR3分壓 7458 0
DDR3內(nèi)存或退出市場三星等大廠計劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達(dá)15年...
Xilinx Vivado創(chuàng)建MicroBlaze工程運(yùn)行Hello World C語言程序
添加了DDR3內(nèi)存以后,程序既可以運(yùn)行在BRAM里面,也可以運(yùn)行在DDR3內(nèi)存里面。但如果運(yùn)行在DDR3內(nèi)存里面,固化起來會比較麻煩,需要借助SREC ...
2022-02-16 標(biāo)簽:DDR3MicroBlaze 5422 0
DDR3備受輕薄本板載內(nèi)存青睞 DDR3有何優(yōu)勢
從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個角度可以講通。
昂達(dá)瞄準(zhǔn)內(nèi)存市場,DDR3面向低端,面向AMD
這段時間,DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位,于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3,畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板,都已經(jīng)十分...
高速數(shù)字電路設(shè)計:電阻的應(yīng)用——端接
曾經(jīng)讓我們聽之色變、聞風(fēng)喪膽的高速設(shè)計,其實我們所考慮的問題也不外乎三種基本電子元件(電阻、電容、電感),以及它們的組合。在高速先生的后續(xù)文章里,我會把...
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