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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

NAND閃存成2020年增長最快產(chǎn)品 三大半導(dǎo)體存儲公司出現(xiàn)復(fù)蘇跡象

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合肥長鑫嘗試“從0到1”的突破 推動中國存儲器廠邁出了重要的一步

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合肥長鑫存儲的DRAM項目,正開始進入試產(chǎn)階段

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美光:DRAM價格下降放緩,NAND閃存正上升

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5G商用開啟,手機存儲和數(shù)據(jù)中心存儲直面哪些挑戰(zhàn)?

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美光:沖刺2020財年 DRAM,NAND有望Q3恢復(fù)

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計算機的dram和sram有何區(qū)別

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2020年IC市場增長有望恢復(fù) NAND Flash保持領(lǐng)漲

15日,根據(jù)IC Insights發(fā)布的《2020 McClean報告》數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計至2020年33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長。本文中將著重介...

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三星在技術(shù)上并非一夜成名,三星半導(dǎo)體帝國的誕生與發(fā)展史

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合肥長鑫即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬片

長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項目發(fā)布會表示,合肥長鑫作為國內(nèi)進展最快的存儲器生產(chǎn)基地,近日12吋...

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DRAM、SRAM和Flash原理解析

DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器,DRAM通常被稱為內(nèi)存,也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內(nèi)存。SRAM的存在感相對較弱,但他卻是C...

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dram是內(nèi)存條嗎 什么是NAND Flash

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2021-10-07 標簽:DRAM內(nèi)存條Nand flash 1.3萬 0

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本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進行詳細介紹。

2018-04-21 標簽:dramnand邏輯器件 1.3萬 0

NOR Flash產(chǎn)能吃緊,逆市上揚

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深度分析2019內(nèi)存市場發(fā)展趨勢

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