DRAM制程分享

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點，DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...

2023-01-30 標簽：電容器DRAMEUV 5185 0

淺談存儲芯片市場的“兩大兩小”

NAND Flash適用于大容量數(shù)據(jù)的存儲（通常為1Gb-1Tb），且能夠?qū)崿F(xiàn)快速讀寫和擦除。

2023-01-30 標簽：DRAM存儲器存儲芯片 1227 0

SK海力士推出全球最快移動DRAM——LPDDR5T

繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運行速度高達9....

2023-01-30 標簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1603 0

一文簡析HBM的應(yīng)用

DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。

2023-01-30 標簽：DRAM存儲器soc 2842 0

一紙文書，讓日本半導(dǎo)體盛極而衰

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在上世紀80年代，日本半導(dǎo)體企業(yè)如日中天，日本存儲器驟然崛起，一舉超越美國成為全球第一。1986年，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售前三...

2023-01-25 標簽：半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)業(yè)鏈 6117 0

內(nèi)存領(lǐng)域，一場關(guān)于HBM的競賽已悄然打響

存儲器數(shù)據(jù)訪問速度跟不上處理器的數(shù)據(jù)處理速度，數(shù)據(jù)傳輸就像處在一個巨大的漏斗之中，不管處理器灌進去多少，存儲器都只能“細水長流”。兩者之間數(shù)據(jù)交換通路窄...

2023-01-17 標簽：DRAM存儲器數(shù)據(jù)SK海力士 773 0

DRAM的電容技術(shù)發(fā)展歷程

通過控制溫度來控制晶相，將非晶AlO、T相ZrO制作為新型介質(zhì)薄膜。因為主要貢獻點是EOT很低的新型薄膜，通過三個I_V曲線描述漏電性能，XRD表明晶相...

2023-01-12 標簽：電容器電容DRAM 3490 0

一本雜志，讓日本走上半導(dǎo)體強國之路

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）從20世紀開始，人類社會逐漸從原子時代走向信息時代，數(shù)據(jù)成為人類日常發(fā)展的主流。而半導(dǎo)體芯片作為數(shù)據(jù)的重要載體，也開始在產(chǎn)...

2023-01-08 標簽：東芝amd半導(dǎo)體 5211 0

只租不賣？服務(wù)器內(nèi)存探索新的商業(yè)模式

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）根據(jù)韓國媒體報道，三星作為世界最大的存儲廠商之一，正在尋求開辟高端內(nèi)存芯片租賃這一全新的商業(yè)模式。在這一商業(yè)模式下，客戶通...

2023-01-08 標簽：DRAM內(nèi)存服務(wù)器內(nèi)存 3533 0

DRAM的表現(xiàn)可為“一瀉千里”

市場方面，DRAM的全球市場也不容樂觀。在今年三季度，全球DRAM的市場規(guī)模，降至181.87億美元，不及上一季度的255.94億美元，環(huán)比下滑28.9...

2023-01-06 標簽：半導(dǎo)體DRAM 522 0

淺析存儲顆粒和存儲組件的價格形成

DRAM會區(qū)分顆粒的技術(shù)層級：DDR3/DDR4/DDR5; Flash會區(qū)分顆粒的類別：TLC/MLC/SLC; 也會區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/3...

2023-01-05 標簽：DRAMSSD半導(dǎo)體存儲器 1089 0

DRAM價格沒有回升跡象，DDR5繼續(xù)下跌

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，到 2022 年為止，DRAM 現(xiàn)貨價格已下跌超過 40%，而 NAND 閃存晶圓價格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。

2023-01-04 標簽：閃存DRAMNAND 682 0

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日...

2022-12-21 標簽：DRAM三星半導(dǎo)體DDR5 841 0

美國嘗試將大陸芯片產(chǎn)業(yè)“孤立”？

荷蘭ASML光刻機對于半導(dǎo)體、對于中國半導(dǎo)體的重要性都不言而喻，所以美國早早就要求用于7nm及以下線寬先進工藝的EUV產(chǎn)品，對華禁售。而最近，美國又在“...

2022-12-15 標簽：DRAM芯片制造ASML 301 0

研華工業(yè)存儲多寬溫解決方案，面向工業(yè)機器人應(yīng)用與挑戰(zhàn)

隨著物聯(lián)網(wǎng)科技與時代不斷發(fā)展，工業(yè)機器人在制造業(yè)中發(fā)揮著越來越大的作用。它們常應(yīng)用于各種不同寬溫度的環(huán)境，例如戶外應(yīng)用，冷鏈物流等。所以固態(tài)硬盤和DRA...

2022-12-15 標簽：嵌入式DRAM機器人 486 0

2022年模擬市場規(guī)模預(yù)計同比增長20.8%

小信號晶體管的這種水平預(yù)測似乎是合理的，但功率晶體管的需求由于汽車電氣化而持續(xù)增長，因此我們應(yīng)該可以預(yù)期同比增長超過10%。

2022-12-14 標簽：DRAM晶體管功率器件 362 0

西安紫光國芯成功入選國家企業(yè)技術(shù)中心

近日，國家發(fā)展和改革委員會公示完成2022年（第29批）擬認定國家企業(yè)技術(shù)中心名單，憑借著在存儲領(lǐng)域領(lǐng)先的技術(shù)實力、持續(xù)的創(chuàng)新成果和科學(xué)的管理運營，西安...

2022-12-08 標簽：DRAM存儲技術(shù)紫光國芯 1217 0

探索傳統(tǒng)存儲器的發(fā)展史

最初通過PMOS技術(shù)達到可接受的良率。在這之后，一項關(guān)鍵的額外設(shè)計變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率，并實現(xiàn)了更小尺寸的...

2022-11-29 標簽：DRAM存儲器晶體管 864 0

美光科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲器DRAM

最新消息，據(jù)日本共同社報道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器...

2022-11-28 標簽：DRAM美光科技 1201 0