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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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中國(guó)晶圓廠今年將是人才爭(zhēng)奪戰(zhàn)關(guān)鍵年
TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新研究指出,由于中國(guó)本土晶圓廠的擴(kuò)張及先進(jìn)制程的推進(jìn)使人才需求孔急,近兩年中國(guó)引進(jìn) IC 產(chǎn)業(yè)人才的力道越來(lái)...
2017-03-23 標(biāo)簽:DRAM晶圓廠3D-NAND Flash 1560 0
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 NAND需求極增
2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂,2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化,據(jù)悉,DRAM熱度可望延續(xù)依然存在,但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能,同時(shí)服務(wù)...
如若某一天,某種通用存儲(chǔ)器或殺手級(jí)存儲(chǔ)器將能夠同時(shí)替代SRAM,DRAM和閃存。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),雖然下一代存儲(chǔ)技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)器,但它們可以...
2020-12-24 標(biāo)簽:DRAMIC設(shè)計(jì)sram 1559 0
三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)完成
三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā),并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
紫光國(guó)微DDR4內(nèi)存芯片年底就可推向市場(chǎng),未來(lái)會(huì)加大投入DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品
國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示,目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。
存儲(chǔ)芯片被少數(shù)國(guó)際大廠壟斷 中國(guó)廠商如何破除困局?
而存儲(chǔ)芯片價(jià)格之所以持續(xù)攀升,除了國(guó)外大廠因?yàn)榧夹g(shù)升級(jí)出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外,中國(guó)存儲(chǔ)芯片基本依賴(lài)進(jìn)口也是存儲(chǔ)芯片大幅漲價(jià)的原因。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被少數(shù)國(guó)...
半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)大跌幅 DRAM和NAND是重災(zāi)區(qū)
美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一公布了 2019 年全球半導(dǎo)體行業(yè)的營(yíng)收。
美光正式出貨全球最先進(jìn)的 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
2022 年?11 月?2 日;內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU...
研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)DRAM今年銷(xiāo)售額652億美元
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì),DRAM 今年仍將會(huì)是銷(xiāo)售額最高的半導(dǎo)體產(chǎn)品,接近電腦 CPU 銷(xiāo)售額 1.5 倍。 從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看,...
集微咨詢:汽車(chē)芯片增速正被高估,庫(kù)存問(wèn)題恐導(dǎo)致供過(guò)于求!
觀察存貨周轉(zhuǎn)天數(shù),芯片原廠比分銷(xiāo)商承受了更大的庫(kù)存波動(dòng)。從2022年下半年開(kāi)始,15大芯片原廠的存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)(平均值)已明顯高于90~110天的正常區(qū)間...
2023-09-11 標(biāo)簽:芯片DRAM半導(dǎo)體市場(chǎng) 1549 0
內(nèi)存芯片在2017年掀起一陣狂熱,價(jià)格只增不減。縱觀2018年甚至2019年局勢(shì),5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級(jí)循環(huán)」將結(jié)束,全球 DRAM 的平均售價(jià)將降低。
日前有消息稱(chēng),存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇,特別是移動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售行業(yè)。
聯(lián)電宣布將暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助
大陸DRAM廠福建晉華遭到美國(guó)商務(wù)部列為出口管制實(shí)體列表,以至于與晉華密切合作的臺(tái)灣聯(lián)電也首當(dāng)其沖。聯(lián)電31日指出,將暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助!
server DRAM合約價(jià)全年漲幅有望超過(guò)四成
TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查,自2020年第三季至今,server DRAM產(chǎn)能比重已降至三成左右,其比重調(diào)降除為平衡產(chǎn)品線的供需失...
三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM
三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
華為DRAM內(nèi)存囤貨量曝光,可堅(jiān)持六個(gè)月
美方對(duì)華為實(shí)施的禁運(yùn)令已經(jīng)執(zhí)行1個(gè)多月了,目前,Intel、AMD、三星顯示屏等拿到了許可,得以繼續(xù)供貨,而三星、SK海力士的內(nèi)存、美光內(nèi)存等則仍無(wú)法繼...
紫光下盤(pán)大棋,引來(lái)IC行業(yè)挖角風(fēng)
紫光目前生產(chǎn)基地晶圓廠已經(jīng)先后形成華中武漢、華東南京、華西地區(qū)成都的鐵三角布局,未來(lái)在華南地區(qū)的下一階段項(xiàng)目何時(shí)成形?外界也眾所矚目。而紫光下的這一盤(pán)大...
2017-04-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)技術(shù)晶圓廠 1524 2
突破存儲(chǔ)器帶寬和容量限制三星CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)展設(shè)備
CXL是CXL聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的一項(xiàng)開(kāi)放式互聯(lián)新標(biāo)準(zhǔn),基于PCIe物理層的高速、低延遲CPU到設(shè)備互連技術(shù)。CXL可在主機(jī)CPU和互聯(lián)設(shè)備(例如加速器和存儲(chǔ)器擴(kuò)...
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