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標簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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國產(chǎn)DRAM一直是痛點 三大廠商正在努力突破重圍
隨著中國智能手機的發(fā)展,PC、物聯(lián)多設(shè)備出貨量的進一步增加,對于內(nèi)存的需求也是越來越大,進口額也在逐年增加。也正因為如此,所在在早幾年之前,國內(nèi)就一直有...
三星緊急召回18nm制程存儲模組 或因產(chǎn)品良率出問題
自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級涉及行賄被起訴后,三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回,由于三星于 PC D...
市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全...
結(jié)束農(nóng)歷佳節(jié),各廠家已陸續(xù)回到工作崗位,面對傳統(tǒng)淡季,采購量縮減態(tài)度不變,而供應(yīng)端方面,則同樣對于未來走勢不抱以期望,不斷主動調(diào)降報價,在廠家?guī)齑嫠粏?..
美光出貨全球最先進的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
2022年11月2日——中國上海——內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:...
DRAMeXchange 表示,2011年對于DRAM產(chǎn)業(yè)實屬充滿不確定性因素的一年,不僅是天災(zāi)頻傳,陸續(xù)造成DRAM供給與需求的沖擊以外,由于 PC ...
審查發(fā)現(xiàn),美光公司產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患,對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風險,影響我國國家安全。為此,網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通...
因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺,比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振,及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳,加上3D NAND轉(zhuǎn)到...
在這種情況下,芯片代工公司臺積電于2021年10月宣布在熊本設(shè)立工廠。此外,新公司Lapidus于2022年11月宣布計劃在2027年之前量產(chǎn)2納米的邏...
2023-09-19 標簽:DRAM芯片代工半導(dǎo)體設(shè)備 1044 0
DRAM內(nèi)存市場營收再創(chuàng)紀錄 三大廠商的毛利率全面突破了60%
今年的NAND閃存價格降了,但是DRAM內(nèi)存價格還是居高不下,唯一的變化就是今年的漲價沒有2016年、2017年那么夸張,Q2季度中全球DRAM內(nèi)存市場...
明年內(nèi)存芯片或供應(yīng)過剩 需求將出現(xiàn)下滑
由于分析師對2019年全球半導(dǎo)體市場的預(yù)期比較悲觀,全球最大存儲芯片供應(yīng)商三星電子正考慮放緩擴大生產(chǎn)設(shè)施的步伐。
三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片
三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得...
臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM市場提出最新分析。他強調(diào),目前主要DRAM大廠都沒有增產(chǎn)計劃,而且將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D ...
受惠于服務(wù)器存儲設(shè)備增長和5G商機 DRAM價格跌幅趨勢放緩
受到歐美大廠包括亞馬遜(Amazon)、Facebook、微軟(Microsoft)、Google等網(wǎng)絡(luò)巨擘在2019年搶攻市占的規(guī)劃依然積極,將有利于...
2019-03-04 標簽:微軟DRAMNAND Flash 1036 0
為異構(gòu)多核實現(xiàn)十倍嵌入式內(nèi)存性能的三種方法
最后,隨著更新的工藝技術(shù)使更高容量的內(nèi)存更便宜,緩存大小將不可避免地增加。在異構(gòu) SoC 上發(fā)現(xiàn)的用于 CPU、GPU、DSP 和其他核心架構(gòu)的更大...
瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對此表示同意。“人們普遍承認DDR總線在支持多時隙配置方面的能力將隨著時間的推移而變得越來越困難。當你以每秒6、7、8...
存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產(chǎn)...
XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了...
西安紫光國芯亮相ICCAD 2023發(fā)布CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案
2023年11月10日-11日,以“灣區(qū)有你,芯向未來”為主題的中國集成電路設(shè)計業(yè)2023年會暨廣州集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇(ICCAD 2023)...
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