三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片,其超高速度可達(dá)42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據(jù)三星介紹,得益于多項(xiàng)改進(jìn)與更新,該芯片相比前代在密度上提升了50%,效率則提高了30%。目前,這些24Gb GDDR7模塊正由主要GPU制造商進(jìn)行驗(yàn)證,預(yù)計(jì)將于2025年初大規(guī)模投產(chǎn)。
早在2023年7月,三星就已推出了全球首款GDDR7內(nèi)存,其額定速度為32Gbps,模塊容量為16Gb(即2GB)。與三星此前發(fā)布的GDDR7模塊相比,新芯片的帶寬提升了25%,而與前代18Gbps的GDDR6產(chǎn)品相比,更是實(shí)現(xiàn)了2.36倍的速度飛躍。在制造工藝上,三星24Gb GDDR7內(nèi)存采用了先進(jìn)的第五代10nm節(jié)點(diǎn)技術(shù),使得在相同封裝尺寸下,密度實(shí)現(xiàn)了50%的增長(zhǎng)。
三星之所以能達(dá)到如此卓越的性能,關(guān)鍵在于采用了PAM3信號(hào)傳輸技術(shù),該技術(shù)利用-1、0、+1三個(gè)信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。這些新內(nèi)存模塊能夠輕松達(dá)到40Gbps的速度,且在特定條件下,更可沖刺至42.5Gbps,這一速度比GDDR6X提供的24Gbps快了近80%。
在效率方面,三星新款GDDR7內(nèi)存同樣表現(xiàn)出色,比前代產(chǎn)品高出30%。這得益于時(shí)鐘控制管理、雙電壓(VDD)設(shè)計(jì)等一系列先進(jìn)技術(shù)。此外,通過(guò)電源門控設(shè)計(jì),三星還成功解決了電流泄漏問(wèn)題,能夠關(guān)閉芯片中未使用的部分,進(jìn)一步提升效率。
值得注意的是,上一代GDDR6/X內(nèi)存模塊通常采用16Gb(即2GB)的容量。而三星的GDDR7產(chǎn)品,每個(gè)模塊的內(nèi)存容量增加了1.5倍,這將為下一代GPU帶來(lái)更高的VRAM(顯示內(nèi)存)容量。以下是不同總線寬度下,采用42.5Gbps 24Gb(3GB)模塊的GPU制造商可預(yù)期的VRAM及帶寬數(shù)據(jù):
128位總線寬度:12GB VRAM,帶寬680GB/s
192位總線寬度:18GB VRAM,帶寬1020GB/s
256位總線寬度:24GB VRAM,帶寬1360GB/s
320位總線寬度:30GB VRAM,帶寬1700GB/s
512位總線寬度:48GB VRAM,帶寬高達(dá)2720GB/s
這對(duì)于游戲玩家而言無(wú)疑是個(gè)好消息,因?yàn)樯弦淮鶪PU常因VRAM不足而受限。如今,即便是1080p分辨率的游戲也需要超過(guò)8GB的內(nèi)存。因此,游戲玩家普遍希望GPU制造商在下一代產(chǎn)品的內(nèi)存容量上不要吝嗇。然而,考慮到生產(chǎn)成本,下一代入門級(jí)GPU可能仍會(huì)堅(jiān)持使用現(xiàn)成的16Gb GDDR6模塊。
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