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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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北京君正預(yù)計(jì)年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
近日,在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí),北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹,目前各類(lèi)DRAM產(chǎn)品,包括DDR2、DDR3、LPDDR4等,均有新品在研發(fā)...
全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機(jī)
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯...
三星將增加業(yè)內(nèi)最快DRAM - 8GB HBM2的生產(chǎn):以滿(mǎn)足人工智能等市場(chǎng)
作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者(三星官方用語(yǔ)),三星電子在2017年7月18日宣布,它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2(HBM2)的產(chǎn)量來(lái)滿(mǎn)足日益...
DRAM內(nèi)存市場(chǎng)增速最猛,三星笑傲半導(dǎo)體市場(chǎng)
根據(jù)報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IHS的數(shù)據(jù)顯示,從去年第三季度開(kāi)始,三星已經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度成為全球半導(dǎo)體出貨量最高的企業(yè)。從數(shù)據(jù)趨勢(shì)上看,三星很有可能將這個(gè)趨勢(shì)...
近日,備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)(ICCAD-Expo 2024)在上海隆重舉行。來(lái)自全球的集成電路產(chǎn)...
商務(wù)部部長(zhǎng)會(huì)見(jiàn)美光CEO:歡迎繼續(xù)扎根中國(guó)市場(chǎng)
目前,美光公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠,在上海運(yùn)營(yíng)尖端ssd和移動(dòng)nand產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中心。美光公司還在中國(guó)經(jīng)營(yíng)著三家客戶(hù)研究所
不論是DRAM或NAND Flash 持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難
不論是DRAM或NAND Flash,現(xiàn)有的存儲(chǔ)器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不...
存儲(chǔ)三巨頭欲拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲 目標(biāo)漲幅7-8%
存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況,DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平,但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。
賽普拉斯推出高容量視頻幀緩沖器 用于寬帶視頻應(yīng)用
為了滿(mǎn)足市場(chǎng)上日益增長(zhǎng)的對(duì)寬帶視頻緩沖的需求,賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布量產(chǎn)高容量視頻幀存儲(chǔ)器。這一72-Mbit的器件源自于賽普拉斯領(lǐng)先業(yè)界的SRAM...
全球半導(dǎo)體業(yè):2013或是高增長(zhǎng)年
在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)32%之后,2011年及2012年連續(xù)兩年增長(zhǎng)在1%左右,因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律,預(yù)測(cè)2013年會(huì)是又一...
存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新,DRAM有望進(jìn)行量產(chǎn)
據(jù)近日?qǐng)?bào)道,面對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)低迷,三星電子,SK海力士,鎂光企圖通過(guò)新舊世代的產(chǎn)品交替,克服危機(jī)。
美光推出業(yè)界容量最高的單片式移動(dòng)存儲(chǔ)器 并不增加占用空間
愛(ài)達(dá)荷州博伊西,2018年12月13日——?jiǎng)?chuàng)新存儲(chǔ)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)今日宣布,其低功耗、雙倍數(shù)據(jù)速率的單片式...
三星將從明年開(kāi)始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢(xún)問(wèn)...
三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來(lái)新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫(kù)存改善信號(hào)
但這并不是全部,報(bào)道稱(chēng)三星內(nèi)部計(jì)劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場(chǎng)重回供需平衡之前,公司將避免擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。Omdia預(yù)計(jì),明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量...
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)...
今日看點(diǎn)丨消息稱(chēng)蘋(píng)果最快年底推出 M4 系列芯片;美光:中國(guó)臺(tái)灣地震后DRAM尚未完全投產(chǎn)
1. 臺(tái)積電 SoIC 高端封裝受追捧,已為蘋(píng)果小規(guī)模試產(chǎn) ? 根據(jù)供應(yīng)鏈消息,在 AMD 之后,蘋(píng)果、英偉達(dá)、博通三家公司也開(kāi)始和臺(tái)積電合作,推進(jìn) S...
48層堆疊V-NAND存儲(chǔ)器,將提升三星成本競(jìng)爭(zhēng)契機(jī)
三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè),計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后,于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
物聯(lián)網(wǎng)衍生新需求,2018半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈將出現(xiàn)供需失衡
隨著物聯(lián)網(wǎng)的大力發(fā)展推動(dòng)了半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈滋生新的需求,據(jù)悉,由于汽車(chē)電子物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn),2018芯片缺貨潮會(huì)再度來(lái)襲,會(huì)出現(xiàn)難得一見(jiàn)的供需失衡的景象。
2017-12-11 標(biāo)簽:dram物聯(lián)網(wǎng)硅晶圓 845 0
美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
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