似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產造成明顯影響。三星試圖通
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數據傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
發(fā)表于 02-28 00:07
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據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
發(fā)表于 02-13 16:42
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據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級
發(fā)表于 01-23 10:04
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(High Bandwidth Memory 4)內存規(guī)劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
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在CES 2025開幕前夕,三星半導體憑借其在存儲技術領域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術,獲得了CES 2025在移動設備、配件及應用程序領域的創(chuàng)新獎。
發(fā)表于 12-31 15:15
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
發(fā)表于 10-23 17:15
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三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM4產品的
發(fā)表于 08-22 17:19
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據韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著
發(fā)表于 08-13 14:29
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人工智能半導體領域的創(chuàng)新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產合同
發(fā)表于 08-10 16:50
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三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領先的超薄LPDDR5X內存封裝技術已進入量產階段,再次引領內存技術潮流。此次推出的LPDDR5X內存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現了對上一代產品
發(fā)表于 08-07 11:21
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三星電子于6日正式宣布,其已成功實現業(yè)內領先的12納米級低功耗雙倍數據速率動態(tài)隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產,這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領行業(yè),同時提供12
發(fā)表于 08-06 15:30
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深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內存)開始量產,支持12GB和16GB容量。這將
發(fā)表于 08-06 08:32
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7月16日,三星電子宣布了一項重大技術突破,其最新研發(fā)的10.7千兆比特每秒(Gbps)LPDDR5X DRAM已成功在聯發(fā)科技即將推出的下一代天璣旗艦移動平臺上完成兼容性驗證。此次合作中,三
發(fā)表于 07-16 16:15
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三星今日宣布,已成功在聯發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。 此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16G
發(fā)表于 07-16 15:55
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