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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv技術(shù)

一文弄懂半導(dǎo)體掩膜版制造工藝及流程

微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版掩膜版（Photomask）又稱(chēng)光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等...

2024-01-06 標(biāo)簽：集成電路液晶顯示器光刻機(jī) 3.5萬(wàn) 0

全面描述SADP / SAQP流程的工作方式

作者： JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士，DAVID ABERCROMBIE，REHAB KOTB ALI和MENTOR...

2021-04-11 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 3.2萬(wàn) 0

光刻膠材料的制備和基本要素

光刻膠是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和...

2019-02-11 標(biāo)簽：euv 光刻膠 2.6萬(wàn) 1

浸沒(méi)式光刻原理淺析

到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵，而此前業(yè)界并沒(méi)有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。

2019-08-08 標(biāo)簽：EUV 光刻膠 2.0萬(wàn) 0

講述EUV是什么？

為什么三星、臺(tái)積電、英特爾，這三家直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手企業(yè)爭(zhēng)相投資ASML？

2018-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 euv 1.5萬(wàn) 0

關(guān)于EUV光刻機(jī)的分析介紹

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過(guò)100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無(wú)疑是...

2019-09-03 標(biāo)簽：放大器等離子 EUV 1.4萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)***EUV與DUV的分類(lèi)

DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithogr...

2023-03-20 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV DUV 1.3萬(wàn) 0

面對(duì)EUV光刻技術(shù)，芯片制造商如何權(quán)衡復(fù)雜分類(lèi)

除了阻抗，還有其他問(wèn)題，即EUV光掩?；A(chǔ)設(shè)施。光掩模是給定IC設(shè)計(jì)的主模板。面膜開(kāi)發(fā)之后，它被運(yùn)到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過(guò)掩模投射光...

2017-09-29 標(biāo)簽：英特爾光刻技術(shù)EUV 1.3萬(wàn) 0

干貨！光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。

2019-03-02 標(biāo)簽：光刻 EUV 1.2萬(wàn) 0

極紫外光微影(EUV)技術(shù)據(jù)稱(chēng)將在5納米(nm)節(jié)點(diǎn)時(shí)出現(xiàn)隨機(jī)缺陷

Borodovsky在采訪中表示，另一個(gè)可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫(xiě)入，因?yàn)镋UV使用的復(fù)...

2018-04-11 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電 euv 1.2萬(wàn) 0

極紫外（EUV）光刻新挑戰(zhàn) 光刻膠只是其一

光刻膠是用來(lái)制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機(jī)性效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)字?。根?jù)定義，隨機(jī)效應(yīng)描述了具有光量子隨機(jī)變化的事件。它們是不可預(yù)測(cè)的，沒(méi)有穩(wěn)定的模式。

2018-03-27 標(biāo)簽：euv 光刻膠 1.1萬(wàn) 0

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試...

2023-06-09 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 1.0萬(wàn) 0

光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)

對(duì)先進(jìn)光刻掩膜光衍射的精密EMF模擬已成為預(yù)知光刻模擬的必做工作。

2012-05-04 標(biāo)簽：晶圓光刻 EUV 7278 0

光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 6823 0

***工藝流程圖及成像過(guò)程詳解

IGBT相比MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時(shí)需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT...

2023-06-06 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 芯片制造 6615 0

淺析光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)...

2019-02-25 標(biāo)簽：光刻 EUV 6314 0

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 標(biāo)簽：集成電路 PAC 光刻機(jī) 5922 0

看一下EUV光刻的整個(gè)過(guò)程

EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人...

2022-10-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 5681 0

芯片晶體管是實(shí)現(xiàn)技術(shù)詳解

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)毋庸置疑是近百年最為激動(dòng)人心的領(lǐng)域，正是這無(wú)數(shù)的晶體管一代又一代的更新變革才有了近些年幾乎爆炸式的IT 技術(shù)進(jìn)步。

2018-12-03 標(biāo)簽：芯片晶體管 EUV 5294 0

EUV曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展推動(dòng)著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展，ArF液浸曝光技術(shù)和EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(zhǎng)(λ)成正比，和光學(xué)...

2019-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV ASML 5238 0

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