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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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先進制程顯然對吸引高利潤率業務極為關鍵,各家企業早在各個節點上展開時間競賽。如今,先進制程的戰役已在10納米開鑼,繼臺積電與聯發科共同推出10納米產品H...
在一場將于12月舉行的技術研討會上,晶圓代工大廠臺積電(TSMC)將與競爭對手Globalfoundries、三星(Samsung)結成的伙伴聯盟,公開...
電子芯聞早報:三星焦頭爛額仍砸錢買EUV 樂Pro3跑分被小米5s超越
今日芯聞早報:三星焦頭爛額仍砸錢買EUV追趕臺積電;和輝光電宣布建六代AMOLED廠;iPhone 7風潮可望拉抬半導體封測業績表現;Apple Wat...
在這場最先進工藝產能的競爭中,隨著三星和Intel的加入,無論是哪一家獲得蘋果或高通的芯片訂單,沒有獲得這兩家大客戶訂單的半導體代工廠都會爭取大陸的芯片...
現在16/14nm節點時通常采用兩次圖形曝光技術,如果EUV成功量產,可以避免在10nm及以下時要采用三次或者四次圖形曝光技術,成本上可大幅的節省。
不能否認的是,摩爾定律正在逐漸走向極限。業界對于未來技術如何發展,早已有了“More Moore”(繼續推進摩爾定律)和“More than Moore...
在9月份召開的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會上,ASML公司的臺灣地區銷售經理鄭國偉透露,第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。
期EUV光刻機出現一系列的問題被曝光。有些專家認為在TSMC現場出現的光源故障對于EUV的實用性,尤其是對于未來的量產型EUV光刻機客戶會產生疑惑,可能...
據美國科技博客BusinessInsider報道,在近50年的科技發展中,技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中,英特爾堅定不移地延續著...
設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠,合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度,預計2015年可發布首款量產型...
據國際物理系統研討會(ISPD)上專家表示:實現14納米芯片生產可能會比原先想象的更困難;14納米節點給設計師帶來了許多挑戰。這些困難和挑戰何在?詳見本文...
浸潤式微影技術、多重圖形以及高折射率液體,將讓193納米微影設備走到國際半導體技術藍圖(ITRS)目前的終點:8納米。屆時,EUV技術可有出頭日?
20nm節點在是否應該等待即將投產的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭議。本文深入探究20 nm技術的發展前景和挑戰,為大家解惑。
在2012年度的國際電子元件大會上,有專家指出,半導體制程在14nm的節點上會迎來大挑戰,而不符合偶爾定律的要求。
電子發燒友網訊: 光刻設備廠商ASML Holding NV的CEO Eric Meurice 宣稱該公司已經投入到下一代元紫外線光刻技術(EUV)設備...
盡管英特爾在距今4年前便已開始計劃10nm節點,但該公司目前正在敲定相關的制程設計規則,而EUV則遲遲未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節點設...
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