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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號(hào)。其次,晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信...
2024-10-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 1923 0
晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能,即當(dāng)輸入信號(hào)通過晶體管或者FET后,輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 標(biāo)簽:二極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 1916 0
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,其主要通過改變柵極電場(chǎng)的大小來控制源漏通道的電阻,進(jìn)而...
2024-05-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管FET 1830 0
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...
2022-07-26 標(biāo)簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1813 0
引言:理想二極管和ORing控制器通過監(jiān)測(cè)外部FET提供反極性保護(hù),顯著降低功率損耗,并阻斷反向電流,每當(dāng)發(fā)生瞬態(tài)事件時(shí),控制器就會(huì)監(jiān)控和調(diào)整外部FET...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:開關(guān)參數(shù)
另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。
理解電池充電器功能與充電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
首先,我們必須更好地理解電池充電器功能:動(dòng)態(tài)電源管理(DPM)和動(dòng)態(tài)電源路徑管理(DPPM)。這兩個(gè)功能與充電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)密切相關(guān),同樣重要。不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
許多關(guān)鍵應(yīng)用要求能夠測(cè)量到非常小的電流,如 pA量級(jí)或更小的電流。這些應(yīng)用包括測(cè)定FET的柵極漏電流,測(cè)試靈敏的納米電子器件,以及測(cè)量絕緣器件和電容的漏電流。
2024-01-18 標(biāo)簽:放大器測(cè)量系統(tǒng)FET 1686 0
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測(cè)試條件(...
什么是H橋?介紹H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
因?yàn)殡娐烽L得像字母H而得名,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件,例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。
如何確定復(fù)位IC(電壓檢測(cè)器)的上拉電阻、電壓浮動(dòng)呢?
在此說明由上拉電阻引起的電壓浮動(dòng)和選擇上拉電阻的方法。
2024-02-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器上拉電阻FET 1634 0
如何使用FET組件設(shè)計(jì)Micro-Spy電路
FET T1 和 T2 是 BF245 N 溝道 FET 的型號(hào)。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121變?nèi)荻O管可以更換為ECG/...
2022-06-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)FET諧振回路 1599 0
碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個(gè)明確的選擇,因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢(shì),特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...
未來智能城市的動(dòng)力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...
如何在汽車應(yīng)用中高效地產(chǎn)生高壓電源軌
本文介紹一對(duì)易于使用的2相55V同步升壓控制器,可在只有12V電源的汽車環(huán)境中產(chǎn)生24V、36V或48V電源軌。我們將研究它們集成的一些主要功能特性,包...
從科幻走入現(xiàn)實(shí),人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
為什么DC/DC轉(zhuǎn)換器比電壓穩(wěn)壓器效率高?
DC/DC轉(zhuǎn)換器之所以比電壓穩(wěn)壓器效率高,是因?yàn)榭刂戚敵鲭妷旱姆绞讲煌?/p>
2023-10-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器FET 1496 0
簡(jiǎn)述開關(guān)電源芯片U8608的工作原理
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 1493 0
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