潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。

產品特點：

易于使用：650V GaN功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。

優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。

無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。

低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低的開關損耗，提高了能源利用效率。

環保認證：產品符合RoHS指令要求，無鹵素材料使用，對環境友好。

應用領域：

高效能電源供應器：650V GaN功率晶體管適用于工業、通信、電力等領域的高效能電源供應器，提供可靠的電源支持。

通信與數據中心：可廣泛應用于通信設備、服務器和數據存儲系統，為其提供高效能的能源轉換。

汽車電子：可應用于電動汽車、混合動力汽車等汽車電子系統中，提供可靠的功率控制。

封裝信息： 產品型號：RX65T125H518 封裝類型：DFN8x8

電氣特性（在Te=25°C時，除非另有規定）：

額定漏極電流（Continuous Drain Current @ Te=25°C）：125A

額定漏極電流（Continuous Drain Current @ Tc=100°C）：82A

脈沖漏極電流（Pulsed Drain Current @ Te=25°C，脈寬：10μs）：650A

阻塞電壓（Drain-to-Source Voltage）：690V

開啟溫度（Qgating temperature）：-55°C至150°C

其他特性：

靜態開啟電壓（Vgs）：±20V

最大功率耗散（Maximum Power Dissipation @ Te=25°C）：800W

工作溫度范圍（Operating Temperature Range）：-55°C至150°C

存儲溫度范圍（Storage Temperature Range）：-55°C至150°C

潤新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）是未來智能電子系統中的創新產品。它的高性能和廣泛應用領域使其成為先進技術的重要組成部分。

該650V GaN功率晶體管的主要特點之一是其與標準門極驅動器的兼容性。這意味著用戶可以輕松將其集成到現有的電子系統中，無需進行復雜的改裝或更換。這大大減少了產品應用的難度和成本，為用戶提供了更高的靈活性。

650V GaN功率晶體管還具有卓越的性能，特別是在功率損耗方面。由于采用了GaN技術，它具有更低的開關損耗，可顯著提高能源利用效率。這對于高效能電源供應器、通信和數據中心以及汽車電子等領域的應用至關重要。用戶可以在這些領域中獲得更高的效率和可靠性。

另一個重要的特點是650V GaN功率晶體管無需額外添加自由輪二極管。傳統的功率晶體管在開關過程中需要自由輪二極管來處理電流的反向流動。然而，650V GaN功率晶體管的特性使其能夠在開關過程中有效地處理反向電流，從而簡化了系統設計。這樣的設計優化不僅減少了電路的復雜性，還提高了系統的可靠性和效率。

在環保方面，潤新微電子的650V GaN功率晶體管符合RoHS指令要求，并使用無鹵素材料。這體現了潤新微電子對環境友好的承諾，并對可持續發展做出了積極的貢獻。

總結： 潤新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）是一款高性能、易于集成、環保節能的創新產品。它的廣泛應用領域包括高效能電源供應器、通信和數據中心以及汽車電子等領域。這款產品的出現將為未來智能城市和可持續發展提供強大的支持。潤新微電子將繼續致力于研發創新產品，推動科技進步，為用戶創造更美好的未來。

審核編輯黃宇