電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:40
0 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
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瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24
260 3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流,產(chǎn)生電流的電壓必須高于(Vo+Vbe),約為(Vo+1)。若基極串接一個電阻,則電阻輸入端電壓必須高于(Vo+1)以使電流流過。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電,空穴和自由電子,但是對于一個實際存在的系統(tǒng),其整體上是呈現(xiàn)電中性的,當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時,與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動?
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個引腳,不僅增加了安規(guī)距離,提高了可靠性,而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:02
364 是,最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián),因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理,在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻?
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPN高壓晶體管PMST5550數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-23 10:23:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPN高壓晶體管PMST5550-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-23 10:22:01
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2024-01-23 10:20:43
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2024-01-23 10:12:27
0 我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當(dāng)我從評估板(即 MSP-EXP430G2ET)獲取電源 (3.3V) 時,該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 (8.33V) 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時,如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管,請問這個單結(jié)晶體管是什么?能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性?
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用?是為了米勒電容嗎、?但是米勒電容對三極管的開通有害的時候,為什么還要并聯(lián)電容?電容不是越并越大,加大了等效米勒電容?
2024-01-19 22:39:57
):13.0效率(%):33額定電壓(V):40形式:封裝形式分立晶體管封裝形式類別:法蘭盤技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管,其本質(zhì)是一個電流放大器,通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計時,此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用,此時可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
對于一個含有晶體管,場效應(yīng)管,運(yùn)放的電路,該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻,舉例而言,在含有晶體管的電路射極跟隨器中,求解輸出電阻時,為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻,此時不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢,在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35
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【 2023 年 12 月 19 日,德國慕尼黑訊】 為提高結(jié)溫傳感的精度,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26
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650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認(rèn)輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓啟動和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù),無需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管,以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06
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我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真,datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù),我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù),還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少?
2023-11-21 06:54:43
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49
644 
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
650V FET COOLMOS TO247
2023-11-01 13:40:13
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
柵雙極晶體管(IGBT),該晶體管專為電動汽車(EV)的正溫度系數(shù)(PTC)加熱器而設(shè)計。 新推出的AMBQ40T120RFRTH (1200V) 和AMBQ40T65PHRTH (650V
2023-09-19 16:04:38
306 設(shè)計用于驅(qū)動N通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅(qū)動器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動高側(cè)驅(qū)動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51
685 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17
964 
2N2369 樣品中,82% 能夠使用 90V 電源生成上升時間為 350 ps 或更短的雪崩擊穿脈沖。
擴(kuò)散晶體管
擴(kuò)散晶體管是通過將摻雜劑擴(kuò)散到半導(dǎo)體襯底中而形成的雙極結(jié)型晶體管(BJT)。擴(kuò)散工藝的實施
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管,該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益,可用于麥克風(fēng)輸入,第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
開關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS,支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01
612 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
521 
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,電力轉(zhuǎn)換是最基本的組成部分之一。而功率晶體管則是這種電力轉(zhuǎn)換的核心。隨著科技的不斷發(fā)展,我們需要更高性能的功率晶體管來支持更復(fù)雜的電子系統(tǒng)。本文將帶你了解INN650
2023-06-25 17:51:03
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用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
;類別 高壓晶體管合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)Polarity PNPVCEO, VCES (V) 150IC (A) 0.6ICM (A) 2PD (W)
2023-06-13 10:44:01
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
686 高壓晶體管合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)極性 NPN + NPNVCEO, VCES (V) 400IC (A) 0
2023-06-06 22:46:31
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表,有人可以幫我嗎?
2023-05-30 07:40:02
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02
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Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57
300 嗨,
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個電路工作正常,但我的 ESP 變得非常熱(超過 50 C)。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是,我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的?
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會導(dǎo)致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息?
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢?
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎?
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對稱輸出時,兩管基極之間有電容相連,為什么?c2有什么用??
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢?哪位大神知道請賜教。謝謝啦!
2023-03-31 11:47:46
NPN高壓晶體管
2023-03-28 18:20:28
NPN高壓晶體管
2023-03-28 18:20:28
NPN高壓晶體管
2023-03-28 18:20:27
NPN高壓晶體管
2023-03-28 18:20:27
PNP高壓晶體管
2023-03-28 18:20:27
NPN高壓晶體管
2023-03-28 15:03:16
PNP高壓晶體管
2023-03-28 15:03:15
PNP高壓晶體管
2023-03-28 15:03:15
PNP高壓晶體管
2023-03-28 15:03:15
高壓功率晶體管
2023-03-28 14:59:30
高壓晶體管PNP硅
2023-03-28 13:03:06
NPN高壓晶體管
2023-03-28 12:55:01
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤,我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1:基極,2:發(fā)射極,3:集電極,但我需要一個晶體管,1:基極,2:集電極,3:發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān):你知道有這種封裝的晶體管嗎?我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn),但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
NPN高壓晶體管
2023-03-28 01:18:23
NPN高壓晶體管
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NPN高壓晶體管
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NPN高壓晶體管
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NPN高壓晶體管
2023-03-24 10:48:32
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