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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。
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這是FETVM-FET體積計(jì)的電路。VTVM 的功能被 FTEVM 取代,同時(shí)擺脫了通常的線(xiàn)線(xiàn)儀器。該電路可以允許0.5伏的標(biāo)度范圍,因?yàn)镕ETVM的漂...
2023-07-28 標(biāo)簽:電路分析場(chǎng)效應(yīng)管FET 659 0
場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的
場(chǎng)效應(yīng)管(英語(yǔ):field-effect transistor,縮寫(xiě):FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.5萬(wàn) 0
FET電流源是一種有源電路,它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是,為什么還要恒定電流呢?恒流源和吸電流(吸電流與電流源相反)是一種非常簡(jiǎn)單的方...
2023-07-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管恒流源FET 4918 0
提到FET,學(xué)電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 3970 0
MOSFET與BJT之間有何不同?MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好?
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中,漏極由柵極端的電壓控制,因...
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFETFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6419 0
5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識(shí)
說(shuō)到射頻PA(Power Amplifier,功率放大器)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及:Load-line與Load-pull。
while(1)到底占了多少CPU功耗呢?這些功耗去哪里了呢?
我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。
2023-06-29 標(biāo)簽:電源管理FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2184 0
什么是H橋?介紹H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)元器件,例如下圖有四個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。
電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓,電源電壓必須在3V以上,否則輸出信號(hào)會(huì)失真(削波)。為了確保源極偏置電流,在R4上需...
2023-06-23 標(biāo)簽:放大電路電路設(shè)計(jì)輸出電壓 716 0
下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖,左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過(guò)漏極和源極之間的部分稱(chēng)為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管(PN結(jié)),所以...
增大升壓轉(zhuǎn)換器的效用:以更低電壓驅(qū)動(dòng)更重負(fù)載
自舉這項(xiàng)技術(shù)適用于大部分升壓轉(zhuǎn)換器,可以在轉(zhuǎn)換器的電壓降低時(shí)保持驅(qū)動(dòng)重負(fù)載。許多便攜式設(shè)計(jì)要求升壓轉(zhuǎn)換器將低電池電壓轉(zhuǎn)換為更高電壓,但是,隨著電池電壓逐...
2023-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET電池 1067 0
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(jì)(如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET ))預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因...
未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎:潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)
潤(rùn)新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...
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