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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電...
2024-08-21 標簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 1470 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱B...
2024-08-13 標簽:半導體FET場效應(yīng)晶體管 3332 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)控制電流大小的原理主要基于其獨特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導體器件,...
2024-07-23 標簽:半導體場效應(yīng)管FET 2536 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種重要的半導體器件,在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。它利用電場效應(yīng)來控制...
2024-05-31 標簽:放大器場效應(yīng)管FET 5101 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分,其穩(wěn)定性和可靠性對電路的整體性能具有至關(guān)重要的影響...
2024-05-31 標簽:半導體場效應(yīng)管FET 4629 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,其主要通過改變柵極電場的大小來控制源漏通道的電阻,進而...
2024-05-22 標簽:半導體場效應(yīng)管FET 1765 0
適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...
什么是LDO?淺析低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 中的噪聲及電源抑制比
在本文中,我們將介紹低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器中噪聲和電源抑制比 (PSRR) 的影響。讓我們簡單討論一下什么是 LDO。
IC設(shè)計工程師和電路設(shè)計人員都深知電流噪聲會隨頻率增高而變大,但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過少,或者制造商提供的信息不全,許多工程師很難了解其原因。許多半導體...
什么是場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管的電路符號
場效應(yīng)管,即場效應(yīng)晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導體器件。
2024-02-20 標簽:場效應(yīng)管JFETFET 3510 0
許多關(guān)鍵應(yīng)用要求能夠測量到非常小的電流,如 pA量級或更小的電流。這些應(yīng)用包括測定FET的柵極漏電流,測試靈敏的納米電子器件,以及測量絕緣器件和電容的漏電流。
2024-01-18 標簽:放大器測量系統(tǒng)FET 1647 0
場效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標簽:MOSFET半導體場效應(yīng)管 9611 0
eFuse基于一個簡單概念,即通過測量已知電阻器上的電壓來檢測電流,然后在電流超過設(shè)計限值時,通過場效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標簽:FET場效應(yīng)晶體管NVM 3.4萬 0
引言:在進行工程設(shè)計時,我們常常關(guān)注電壓的安全性,因為電流的不好直接測量,導致對電流的關(guān)注比較少,但其實電流中隱藏的浪涌也往往有很大的隱患。當接通子系統(tǒng)...
2023-10-26 標簽:MOSFET熱敏電阻電源開關(guān) 3222 0
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