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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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finfet技術

半導體前端工藝：金屬布線—為半導體注入生命的連接

生成接觸孔后，下一步就是連接導線。在半導體制程中，連接導線的過程與一般電線的生產過程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

2023-07-11 標簽：半導體 TSMC 晶體管 3727 0

什么是FinFET？鰭式場效應晶體管有哪些優缺點？

推動半導體行業發展并使今天的芯片成為可能的關鍵技術趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術是環柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝...

2023-07-07 標簽：場效應管晶體管 FinFET 9788 0

合成是否仍然獨立于工藝

物理合成的好處是改進了基于合成中實際物理信息的時序相關性，包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實現準確的時序估計，使優化引擎能夠專注于正確的路徑...

2023-05-25 標簽：布線編譯器 FinFET 568 0

3nm及以下的5D提取需求

有據可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術大大增加了必須提取的寄生值的數量。這些類似3D架構的鰭片會產生許多電容值，必須...

2023-05-25 標簽：電容晶圓 FinFET 628 0

金屬布線的工藝為半導體注入生命的連接

經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標簽：DRAM 晶圓晶體管 1231 0

芯片工程師，是時候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史，但finFET已經走到了盡頭。從3nm開始，它們將被環柵 (GAA)取代，預計這將對芯片的設計方式產生重大影響。

2023-04-18 標簽：芯片晶體管納米 2177 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標簽：CMOS DRAM AFM 4801 0

EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量，這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難，空間被功函數金屬的圖形化步驟所消耗。

2023-03-24 標簽：CMOS MOSFET eda 681 0

低功耗貫穿芯片設計全流程

低功耗一直是便攜式電子設備的關鍵要求，但近年來，在人工智能、5G、大數據中心、汽車等應用快速發展的推動下，對低功耗的需求已經擴散到更多的終端產品中。

2023-02-14 標簽：soc 散熱器 RTL 1527 0

鰭式場效應晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側墻；

2023-01-31 標簽：晶體管場效應晶體管 FinFET 4240 0

使用虛擬實驗設計預測先進FinFET技術的工藝窗口和器件性能

負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應晶體管）器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]...

2023-01-06 標簽：晶體管 FinFET 負載效應 1551 0

FinFET 發展的演變

技術路線圖始終是雙向的，一半來自技術方面的進步，另一半來自市場的需求。

2022-08-10 標簽：MOSFET 3D 晶圓 3098 0

適用于1nm邏輯技術節點器件架構解析

由于從平面 FET 過渡到 FinFET，晶體管尺寸減小了，而性能卻提高了。這種轉變是必要的，因為平面 FET 的性能在柵極長度減小時開始下降。FinF...

2022-07-21 標簽：晶體管 FinFET 1715 0

5nm及更先進節點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高...

2022-05-07 標簽：半導體電路仿真 FinFET 8055 0

未來半導體制造需要怎樣的EDA工具機器學習為EDA帶來什么改變

在20／22nm引入FinFET以后，先進工藝變得越來越復雜。在接下來的發展中，實現“每兩年將晶體管數量增加一倍，性能也提升一倍”變得越來越困難。摩爾定...

2021-02-06 標簽：晶圓 eda FinFET 4032 0

淺談半導體晶體管間距的縮放面積及連續節點的有效密度

翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經不能用了嗎？其實這取決于哪一方面。斯坦福大學電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學院、...

2021-01-25 標簽：CMOS 電路設計 eda 3650 0

FinFET的效用已趨于極限淺談晶體管縮放的難題

作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前...

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數字電路處理中仿照技術正在漸漸沒落

在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，仿照技術更多地用來處理對它們晦氣的進程。但這個現象或許正在改動。

2020-04-06 標簽：傳感器數字電路 FinFET 1457 0

FinFET與平面MOSFET有什么不同

Nandra補充說，“FinFET固有增益很高，但是跨導（gm）實際上很低，和頻率（ft）一樣。更先進的幾何布局比平面器件更容易實現匹配，能夠很好的控制...

2019-09-25 標簽：SoC系統 FinFET 1.4萬 0

淺談FinFET存儲器的缺陷修復和測試算法

每個STAR存儲器系統處理器的能力都足以處理芯片上的檢測、診斷和缺陷修復。連接和配置所有紫色方框可能比較耗時且容易出錯，所以STAR存儲器系統還實現了以...

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