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標(biāo)簽 > gan器件
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基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級(jí)評(píng)估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們...
2025-02-25 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 316 0
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評(píng)估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),用于評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣...
LMG2640子卡評(píng)估模塊LMG2640EVM-090介紹
LMG2640 子卡評(píng)估模塊 (EVM) 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),以評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(...
GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新...
淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。
2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1281 0
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語(yǔ)和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)...
半導(dǎo)體,微電子,集成電路都是什么關(guān)系?
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)(屬于化學...
2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片CMOS反相器 7320 0
從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型
模塊電源(BMP)因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級(jí)容易等特點(diǎn),廣泛的應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、繼電保護(hù)、配網(wǎng)自動(dòng)化...
ControlNet給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)在是過于驚艷了,近期視覺領(lǐng)域最讓人興奮的工作。
當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場(chǎng)。最早就是在美國(guó)國(guó)防部的推動(dòng)下,開始了氮化鎵技術(shù)的研究,慢慢地就行成了...
2023-02-12 標(biāo)簽:雷達(dá)硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 640 0
全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析
SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu),帶來了諸多優(yōu)勢(shì):首先,“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離,...
2023-01-10 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅 3230 0
探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)和應(yīng)用
不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動(dòng)要求,這可能是使用 GaN 組件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。
2022-11-10 標(biāo)簽:CGDdcdc轉(zhuǎn)換器GaN器件 3052 0
對(duì)于工程師來說,設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA ...
高效率當(dāng)然是一個(gè)優(yōu)點(diǎn),但有時(shí)“高”的說法并不準(zhǔn)確,例如:家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量,可以減輕您的中央供暖工作在寒...
為什么GaN FET是LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的最佳選擇
氮化鎵(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(y...
2021-03-31 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)混合動(dòng)力車LLC轉(zhuǎn)換器 3350 0
深度探討GaN器件驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案
在柵極關(guān)斷時(shí),CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開...
隨著氮化鎵器件性能的提高,人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
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