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GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題
歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,以及一系列旨在減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳...
2024-07-08 標簽:轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 726 0
納芯微GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017在激光雷達中的優(yōu)勢
自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向,而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD...
GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅(qū)動
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅(qū)動。在本文中,我們將...
#參考設(shè)計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準諧振開關(guān)IC的電器,可實現(xiàn)最小Transform...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特擊穿電壓的演示長期以來一直激勵著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
什么是LiDAR?LiDAR技術(shù)的新時代 前景廣闊未來可期
什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...
2024-05-16 標簽:GaNRohm激光探測技術(shù) 1024 0
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 662 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...
如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器
作者:Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術(shù)優(yōu)勢,所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢,因為其無反向恢復(fù)...
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
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