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三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行

三菱電機集團近日（2023年6月8日）宣布，該公司已開發出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術已被證明可用于...

2023-06-27 標簽：通信系統三菱電機 GaN 1185 0

GAN功率器件在機器人上的應用實踐

GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應用于諸多電子設備中，如全控型電力開關、高頻放大器或振蕩器。與傳統的硅金屬氧...

2025-07-09 標簽：機器人晶體管 SiC 1180 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...

2023-11-02 標簽：MOS管氮化鎵 GaN 1180 0

SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿澤電子在售的領先的...

2023-05-19 標簽：半導體 SiC GaN 1179 0

垂直氮化鎵器件的最新進展和可靠性挑戰

過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，...

2025-02-17 標簽：晶體管功率器件氮化鎵 1177 0

GaN實現下一代高頻電路

提高功率密度的關鍵是提高開關頻率，以最大限度地減少無源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標簽：電容器 GaN 高頻電路 1171 0

如何集成 GaN 功率級以實現高效的電池供電 BLDC 電機推進系統

作者：Jens Wallmann 電池供電的應用，如協作機器人（cobot）、電動自行車、工業無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機...

2023-10-03 標簽：電機 BLDC GaN 1159 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，在上世紀90年代已經有了氮化鎵的應用，多年來氮化鎵已經成為全球半導體研究的熱點，被稱為第三代半導體，它具有更...

2023-02-13 標簽：CMOS 半導體 GaN 1154 0

新一代PowiGaN技術在LED照明中的應用解析

PI CEO Balu Balakrishnan在季報電話會議上所說：“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率，實現了硅開關無法達到的功率...

2019-10-08 標簽：led照明 led驅動器 GaN 1141 0

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標簽：IGBT 晶體管 SiC 1136 0

“TPY-X”雷達的分布式數字架構設計方案

當受到戰術機動性和極端操作環境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標簽：氮化鎵 GaN 1135 0

氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量

介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件：Driving-Elec...

2025-03-12 標簽：逆變器氮化鎵 GaN 1132 0

適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類...

2024-05-05 標簽：FET 激光二極管測量 1120 0

納芯微提供全場景GaN驅動IC解決方案

作為當下熱門的第三代半導體技術，GaN在數據中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應用場景。和傳統的Si器件相比，GaN具有更高的開關頻率與更小的...

2024-11-14 標簽：驅動驅動IC GaN 1111 0

GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

2023-01-30 標簽：GaN 寬帶功率放大器 1109 0

GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別

如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據材料特性分析具體應用。

2025-03-14 標簽：SiC GaN MOS器件 1109 0

芯干線科技GaN功率器件及應用

第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們為半導體行業奠定了堅實的基礎。隨著技術的發展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標簽：半導體功率器件 GaN 1107 0

GaN FET在應用中的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...

2022-07-18 標簽：電源 ti FET 1104 0

電源管理芯片U8733產品概述

驅動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調節驅動電流的檔位，從而優化系統的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標簽：封裝 FET GaN 1102 0

48V電源系統中的GaN FET應用

對于 48V 電源系統中的 GaN FET 應用，現有的一種方法是使用基于 DSP 的數字解決方案來實現高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用...

2022-08-04 標簽：控制器 FET GaN 1098 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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