如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據材料特性分析具體應用。

從材料分類來講

第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料（例如InP, GaAs等應用在射頻領域）。

第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）等化合物材料為代表的寬禁帶半導體材料。

從工作特性來講

SI MOS適合在1KV 150KHz的開關頻率下工作；SI IGBT適合在650V--4KV，100KHz以內的開關頻率下工作；超級SI適合在1KV以內、300KHz以內，135°以內的開關頻率下工作。未來的方向超級硅MOS器件會逐漸的替代傳統硅MOS。

SiC適合工作在1KV以上，300KHz以內，175°以內的條件下，適合大功率電源設計。一般替代IGBT器件。

GaN適合工作在1KV以內，2MHz以內，150°以內的條件下，適合應用在幾千瓦以內的電源設計，一般用來替代200mR以上，300K以上工作條件下的SI-MOS。

從半導體功率器件替代發展方向來講

超級硅會逐漸替代650V以內、200mR以上內阻的部分SI MOS器件。多為150W以內的小型高功率密度電源。

SIC MOS主要替代IGBT單管。多用在6KW以上的高功率密度電源。

GaN主要替代1KV以內的功率MOS或者IGBT單管，實現高頻化、高功率密度的小體積電源設計。多用在6KW以內的高功率密度電源。

從應用方向來講

電源產品應用了第三代功率半導體之后，高頻化、小型化、高效化在電源行業逐漸變的可能。

Si和化合物半導體是兩種互補的材料，化合物的某些性能優點彌補了Si晶體的缺點，而Si晶體的生產工藝又明顯的有不可取代的優勢，且兩者在應用領域都有一定的局限性。

因此在半導體的應用上常常采用兼容手段將這二者兼容，取各自的優點，從而生產出符合更高要求的產品，如高可靠、高速度的國防軍事產品。因此第一、三代是一種長期共同的狀態。