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采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記,雖然標題是針對GaN偏置電路設(shè)計的一些基本準則,但實際上對GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學應(yīng)...
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點及應(yīng)用?
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器半導(dǎo)體 6696 0
在之前的介紹中,我們了解了關(guān)于I?V 曲線和負載線路的基礎(chǔ)知識,但還有另一種分析設(shè)備的非線性行為的方法,即查看設(shè)備的I-V 波形--也就是電流和電壓與時...
在現(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6625 0
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
目前,氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用,其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個角落滲透,而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大,不容小覷。因為它可以...
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因為我們離不開電源。
2023-11-02 標簽:半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 6481 0
BatchNorm是為了將層輸入的特征進行規(guī)范化,使其具備零均值和單位方差的特性。BatchNorm對于網(wǎng)絡(luò)訓練是至關(guān)重要的,它可以讓層數(shù)更深的模型工作...
pSemi推出應(yīng)用于固態(tài)LiDAR的GaN FET驅(qū)動器PE29101
在LiDAR系統(tǒng)中,脈沖激光器的開關(guān)速度和上升時間直接影響著LiDAR的測量精度。為了提高分辨率,電流需要盡可能快地切換通過激光器二極管。GaN技術(shù)憑借...
一種新的碳同素異形體——protomene比氮化鎵(GaN)更適用于光電組件
protomene的熱膨脹很可能會發(fā)生在板間的結(jié)合上。當溫度升高時,從低溫半導(dǎo)體的48原子單元結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷亟饘俚?4原子單元結(jié)構(gòu)特性,可能發(fā)生結(jié)構(gòu)相...
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解
近年來,寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...
在氮化鎵(GaN)功率FET的早期階段,故障很常見。更嚴格的柵極環(huán)路設(shè)計要求,更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一...
2018-07-10 標簽:gan 6244 0
LED技術(shù)為世界帶來巨大改變,除了顯示用背光源還有LED照明的應(yīng)用,而LED 技術(shù)也不斷在革新,帶來更高效的發(fā)光效率。
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
單擊工具欄上的播放按鈕即可運行模型。 除了所選擇的分布中的實際樣本,你還會看到模型生成的假樣本。隨著訓練的進行,假樣本的位置不斷更新。完美的GAN創(chuàng)建的...
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