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gan技術(shù)

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout

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采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...

2020-03-24 標簽:pcb氮化鎵GaN 6791 0

應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計準則

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本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記,雖然標題是針對GaN偏置電路設(shè)計的一些基本準則,但實際上對GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學應(yīng)...

2023-05-10 標簽:電路設(shè)計晶體管偏置電路 6739 0

什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點及應(yīng)用?

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GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。

2023-12-06 標簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器半導(dǎo)體 6696 0

基于模型的GaN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識

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在之前的介紹中,我們了解了關(guān)于I?V 曲線和負載線路的基礎(chǔ)知識,但還有另一種分析設(shè)備的非線性行為的方法,即查看設(shè)備的I-V 波形--也就是電流和電壓與時...

2019-09-28 標簽:RFGaN 6685 0

SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫

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在現(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...

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氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

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2023-02-15 標簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6587 0

探析GaN在雷達和太空領(lǐng)域的應(yīng)用

目前,氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用,其優(yōu)勢也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個角落滲透,而且對射頻/微波行業(yè)的影響越來越大,不容小覷。因為它可以...

2019-02-13 標簽:RF雷達GaN 6531 0

高功率應(yīng)用的GaN產(chǎn)品選用指南

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功率幾乎是每一個電子設(shè)計中的共同主題,有效地管理和使用功率是現(xiàn)代面臨的挑戰(zhàn)之一。

2018-08-01 標簽:半導(dǎo)體GaN 6489 0

什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

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GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因為我們離不開電源。

2023-11-02 標簽:半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 6481 0

如何提高生成器G樣本質(zhì)量的新方法

BatchNorm是為了將層輸入的特征進行規(guī)范化,使其具備零均值和單位方差的特性。BatchNorm對于網(wǎng)絡(luò)訓練是至關(guān)重要的,它可以讓層數(shù)更深的模型工作...

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一種新的碳同素異形體——protomene比氮化鎵(GaN)更適用于光電組件

protomene的熱膨脹很可能會發(fā)生在板間的結(jié)合上。當溫度升高時,從低溫半導(dǎo)體的48原子單元結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)變?yōu)楦邷亟饘俚?4原子單元結(jié)構(gòu)特性,可能發(fā)生結(jié)構(gòu)相...

2018-03-30 標簽:石墨烯GaN 6413 0

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除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN(額定值 >=600V)外,新的中壓 GaN 解決方案(額定值 80V-200V)也日益受到歡迎,可在高壓 GaN ...

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氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...

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