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一文詳細了解高電子遷移率晶體管

HEMT（High Electron Mobility Transistor），高電子遷移率晶體管。這是一種異質結場效應晶體管，又稱為調制摻雜場效應晶體...

2022-05-09 標簽：集成電路晶體管 HEMT 5214 0

GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

電子發燒友網報道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標簽：GaN 儲能 HEMT 4390 0

首款面向衛星通信應用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 標簽：功率放大器衛星通信 GaN 2476 0

新的GaN技術簡化了驅動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態，從...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 2161 0

射頻GaN需求飆升，專利申請戰全面啟動

RF GaN已被工業公司認可并成為主流。從知識產權的角度來看，美國和日本主導著整個RF GaN知識產權系統。

2019-02-21 標簽：射頻 Intel RF 2146 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性?

已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結構，2具有由電壓驅動...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 1634 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數字技術研究與創新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...

2022-07-26 標簽：氮化鎵 HEMT 1553 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標簽：晶體管 GaN HEMT 1407 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

2023-12-07 標簽：無線通信晶體管 HEMT 1393 0

用于低溫應用的GaN

當硅和寬禁帶器件（如碳化硅和垂直 GaN）的溫度下降時，會出現兩個重要現象，如文章中所述：載流子遷移率隨著高性能參數電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 標簽：功率器件 PID控制器 HEMT 1370 0

使用GaN HEMT設備最大化OBCs的功率密度

隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續航里程。因此...

2023-12-17 標簽：電動汽車 GaN HEMT 1341 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標簽：MOSFET GaN HEMT 1314 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續未來

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 標簽：電源氮化鎵 HEMT 1246 0

氮化鎵新技術突破！

N極性GaN HEMT是目前業界的研究熱點。

2022-12-02 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1148 0

AlGaN/GaN結構的氧基數字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標簽：蝕刻 GaN HEMT 1039 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統

擁有系統和應用、研究和設備方面的專業知識，可生產創新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數據中心電源產品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標簽：smps GaN HEMT 999 0

ROHM具有業界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標簽：GaN HEMT Rohm 999 0

HFG610-65 數據手冊和產品介紹具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器，專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同，HFG610-...

2025-01-09 標簽：GaN 諧振 HEMT 860 0

CGD 與高品質服務領航者 DigiKey 達成全球分銷協議

為建立 GaN 生態系統造福全球工程師邁出重要一步英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公...

2023-06-30 標簽：氮化鎵 CGD HEMT 782 0

GaN HEMT在POE交換機中的應用及優勢

在數據流量呈指數級增長以及 5G 技術深度普及的當下，POE（以太網供電）交換機作為融合了數據傳輸與電力供應功能的關鍵設備，廣泛應用于企業網絡、5G 基...

2025-03-03 標簽：交換機 PoE GaN 559 0

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