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標(biāo)簽 > igbt驅(qū)動(dòng)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件,既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn),又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間,可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 1772 0
IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...
2024-07-25 標(biāo)簽:發(fā)射極IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 1575 0
igbt模塊和igbt驅(qū)動(dòng)有什么區(qū)別
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中...
2024-07-25 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng) 1259 0
在新能與汽車電機(jī)控制器中,為了保障系統(tǒng)安全,針對(duì)常見的故障,如過流,過壓,IGBT 驅(qū)動(dòng)故障等,采取實(shí)時(shí)的保護(hù)方案(一般從故障發(fā)生,到識(shí)別,并采取保護(hù)措...
2023-12-09 標(biāo)簽:電源管理電機(jī)控制器IGBT驅(qū)動(dòng) 1534 0
IGBT主要參數(shù),IGBT驅(qū)動(dòng)電路
IGBT是電壓控制型器件,它只有開關(guān)特性(通和斷兩種狀態(tài)),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導(dǎo)元件,以MOS管為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng) 4.3萬 0
基于IGBT驅(qū)動(dòng)模塊的直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
直流電動(dòng)機(jī)測(cè)試電源要根據(jù)直流電動(dòng)機(jī)的試驗(yàn)要求進(jìn)行調(diào)壓試驗(yàn)、輕載試驗(yàn)、負(fù)載試驗(yàn)和過載試驗(yàn),還要進(jìn)行動(dòng)態(tài)過程試驗(yàn)等。這就要求其具有連續(xù)調(diào)壓、過流功能,并要求...
2019-10-09 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)直流電機(jī)IGBT驅(qū)動(dòng) 7599 0
IGBT動(dòng)態(tài)雪崩產(chǎn)生機(jī)制_IGBT動(dòng)態(tài)雪崩的抑制方法
在動(dòng)態(tài)關(guān)斷過程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.5萬 0
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 5.3萬 0
在IGBT的應(yīng)用中,當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障,或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常,或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 2.8萬 0
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過電壓進(jìn)行抑制。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6440 0
三款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.9萬 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用舉例
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.6萬 0
多階段驅(qū)動(dòng)方法就是將IGBT開通關(guān)斷過程分段控制,對(duì)不同的階段采取不同的控制方法,這樣就可以盡量減小因?yàn)榭刂贫斐傻拈_關(guān)延時(shí)和開關(guān)損耗,從而在實(shí)現(xiàn)相同控...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 7270 0
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動(dòng)電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實(shí)現(xiàn)改驅(qū)動(dòng)電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0
IGBT的柵極電壓影響著集電極輸出電流IC的大小,電路中如果用閾值電壓VGE(th)不同的IGBT組成并聯(lián)電路,即使柵極電壓相同,流過各支路的電流也會(huì)有...
2019-08-21 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6606 0
igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展
電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各...
2019-07-29 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng) 2688 0
IGBT驅(qū)動(dòng)要點(diǎn)及保護(hù)電路分析過程結(jié)果
IGBT的驅(qū)動(dòng)條件與IGBT的特性密切相關(guān)。在設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí),當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓大于閾值電壓時(shí)IGBT即可開通,一般情況下閾值電壓Uge(th)=5~6...
2019-07-26 標(biāo)簽:電路IGBT驅(qū)動(dòng) 1.8萬 0
絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作,它集功率晶體管 GTR 和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)于一身,自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 的特...
2018-01-26 標(biāo)簽:igbt電磁爐igbt驅(qū)動(dòng) 4.4萬 0
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