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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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對新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當屬電機驅動部分,而電機驅動部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
開關電源的尖峰干擾是一個復雜而重要的問題,它主要源于開關電源內部高頻開關器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關電源本身的性能,還可能對周圍的其他電子設...
可控硅:能夠被低功率的控制信號打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關斷而不能被控制信號關斷,因此又被稱為半可控開關。
西門子變頻器主要分為通用型、工程型和專用型三類,不斷推出新產品,其產品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
如何提升igbt讀寫速度,igbt模塊要如何安裝?igbt驅動板的安裝與調試
典型IGBT驅動板電路原理圖下圖為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設計出最大可驅動300A/1700V的IGBT驅動板,市售全功能版本的IGBT驅動...
T3Ster結構函數應用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導體器件的結到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數,是半導體器件最重要的熱性能參數之一,它必須被標注到器件尤...
工作在容性區域電流超前于電壓,前級開關管容易實現ZCS關斷,這個區域比較適合IGBT。 工作在感性區域電壓超前于電流,前級開關管容易實現ZVS開通,這個...
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優點是熱穩定性好、安全工作區大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
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