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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測(cè)試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 4095 0
功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 4088 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
大功率IGBT在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的的研發(fā)情況如何?
GBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)...
2018-10-03 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT晶體管 4078 0
IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
2023-01-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFETIGBT 4072 0
IGBT尖峰吸收電容的選型方法是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程,以確保電容能夠有效地吸收IGBT在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的尖峰電壓和電流,從而保護(hù)IGBT不受損壞。...
IGBT保護(hù)的問(wèn)題:短路保護(hù)和過(guò)流保護(hù)
電流傳感器檢測(cè)主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實(shí)時(shí)性可能還有待提高;di/dt檢測(cè)主要是依據(jù)IGBT...
2022-09-05 標(biāo)簽:過(guò)流保護(hù)IGBT短路保護(hù) 4064 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓?
集電極-發(fā)射極額定電壓(UCES) :IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下,集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。
2024-05-01 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)IGBT電源轉(zhuǎn)換 4053 0
VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng),更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...
2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 4051 0
單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法: 在調(diào)制信號(hào)ur和載波信號(hào)uc的交點(diǎn)時(shí)刻控制IGBT通斷 ①u(mài)r正半周,V1保持通,V2保持?jǐn)唷?/p>
功率半導(dǎo)體的功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 3997 0
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級(jí),從平面穿通型(PT)到微溝槽場(chǎng)截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
在垂直方向上,IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和電場(chǎng)截止型(fiel...
igbt軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)的區(qū)別
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開(kāi)關(guān)裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開(kāi)關(guān)和...
2023-12-21 標(biāo)簽:電力設(shè)備IGBT軟開(kāi)關(guān) 3971 0
探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
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