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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù),已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
市面常見電磁爐技術(shù)分為單管電磁爐技術(shù)與半橋電磁爐技術(shù),單管電磁爐主要操作在2千瓦以下,其優(yōu)點為電路架構(gòu)簡單與成本低,缺點則是通常的單管電磁爐在設(shè)定功率較...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測1
開關(guān)元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解
GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點,具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
2017-06-05 標簽:igbt 3820 0
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊?
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
對于變頻器在啟動的過程中報過電流這一情況,引發(fā)導(dǎo)致過電流的原因大部分出在驅(qū)動電路及IGBT逆變電路。判斷驅(qū)動電路及IGBT逆變電路導(dǎo)致過電流的依據(jù)是當變...
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...
大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、...
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 3779 0
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析
近年來,新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識,IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率...
電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
大家好,最近工作比較忙,更新文章有點慢,說實話寫篇自己還算看得過去的文章確實挺費時間,為了保證每周至少一篇文章,找點簡單的話題聊聊吧。
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
基于Lifetime控制技術(shù)的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS
ROHM獨有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時間(trr),非常有助于...
功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計一圈終端區(qū)浪費芯片的一部分面積呢
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關(guān)斷時間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴大...
2023-02-16 標簽:開關(guān)電源IGBT功率器件 3690 0
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