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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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光伏電機IGBT模塊的應(yīng)用和精簡型風電變流器的設(shè)計與分析
根據(jù)整個裝置所要完成的不同功能,將控制系統(tǒng)軟件劃分為主程序和中斷服務(wù)程序。主程序中包括DSP初始化和定時器設(shè)置,如圖6(a)所示;中斷程序包括A/D采樣...
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率,根據(jù)電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓,進而達到節(jié)能、調(diào)速的目的,另外,變頻器還有很多的保護功...
使用隔離放大器實現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護方案
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成...
IGBT的驅(qū)動電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動電路的合理設(shè)計。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動電路的...
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transisto...
2024-07-25 標簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 3308 0
數(shù)字型IGBT的設(shè)計與實現(xiàn),IGBT過流的檢測方法
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個IG...
利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動電路的使用時長
IGBT是電源中的一個核心部分,其主要特點是開關(guān)速度快,通常應(yīng)用于逆變器或電機控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...
2021-03-15 標簽:發(fā)動機轉(zhuǎn)換器igbt 3280 0
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