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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數特性,但是datasheet中所描述的參數是在特定的外部參數條件測試得來的,因此...
以空調壓縮機為例:國內規定的電壓220V,頻率50Hz的電流經整流濾波后得到310V左右的直流電,此直流電經過逆變后,就可以得到用以控制壓縮機運轉的變頻...
有些驅動器只有一個輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,用以調節2個方向的驅動速度。
IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產生另一種類型的晶體管...
大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內部結構。IGBT作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車與新能源裝備等領域應用極為廣泛,被譽...
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