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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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GBT是一種電壓控制的電力三極管,你可以看作是一個高功率版本的CMOS管。特點是開關(guān)頻率高,家庭方面的主要應(yīng)用比如變頻空調(diào)、電磁爐,微波爐,還有就是電腦...
電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬 0
場效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場效應(yīng)管igbt 3.8萬 0
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實,它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計圖集錦 —電路圖天天讀(189)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點,又有...
一文解讀IGBT驅(qū)動關(guān)鍵技術(shù)及過流和短路保護
為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅(qū)動問題,本文提出了驅(qū)動電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計方案。同時,在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性,提出了極端工況IGB...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒有寄生的反向二極管,因此在實際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.4萬 2
在大多數(shù)情況下,IGBT模塊的引腳通常會以標(biāo)號或文字標(biāo)識進行標(biāo)記。以下是常見的IGBT模塊引腳標(biāo)記: 1. 柵極(Gate):通常標(biāo)記為G,也可能...
IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域_IGBT國內(nèi)外市場規(guī)模
受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施,IGBT市場將引來爆發(fā)點。
2018-07-28 標(biāo)簽:IGBT 3.3萬 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
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