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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
在此應(yīng)用中IGBT的總功率損耗包含導(dǎo)通損耗、導(dǎo)電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計,而如果使用了零電壓開關(guān)(ZVS...
2013-12-18 標(biāo)簽:IGBT 2374 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和...
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級技術(shù)市場經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2368 0
基于IGBT模塊和驅(qū)動器IC的電機驅(qū)動和逆變器設(shè)計方案
電機和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長,對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)...
通過IGBT簡化裸片溫度計算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計算外...
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動。開關(guān)動作時,上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時...
光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2337 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子設(shè)備,廣泛用于各種電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中。IGBT本身是一種半導(dǎo)體器件,它可以在電路中起到開關(guān)的作用,控制電流的...
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
為什么要進行IGBT壽命估算?IGBT壽命估算工具能做什么?
器件的壽命是對于不同場景使用而言的,不同環(huán)境下每個器件的壽命有所差別。影響器件使用時間的首先是器件本身的性能,其次是它的工作環(huán)境。
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
功率循環(huán)試驗中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義。基于通態(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2315 0
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