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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 2439 0
淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能
通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2437 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
IGBT模塊常見(jiàn)問(wèn)題分析,RF對(duì)線性電路有什么影響嗎?
考慮到所有這些因素,電路板和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)人員應(yīng)如何選擇放大器呢?答案是:要看電磁干擾抑制比(EMIRR)。該技術(shù)指標(biāo)類似于電源抑制比和共模抑制比,因?yàn)樗?..
FHA60T65A IGBT單管為何是后極逆變電路中的首選元器件呢?
對(duì)于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號(hào)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用。尤其是對(duì)于單相光伏逆變器的產(chǎn)品,為何?
2023-04-11 標(biāo)簽:UPSIGBT快恢復(fù)二極管 2427 0
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí),我們通過(guò)建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開(kāi)關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行,IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 (FRD),如圖 1 所示。隨著 Rohm...
運(yùn)動(dòng)控制設(shè)備的具體表現(xiàn)
無(wú)刷直流電機(jī)提供穩(wěn)健性和可靠性,并且易于構(gòu)建和控制。無(wú)刷直流電機(jī)是一種將直流電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的電動(dòng)機(jī)。它使用磁場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)。由永磁轉(zhuǎn)子和旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)定子組成...
2021-06-26 標(biāo)簽:PWMIGBT數(shù)字信號(hào)處理器 2403 0
看完后,搞懂開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的這些指標(biāo)一點(diǎn)都不難!
中國(guó)一般是220V,由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定,很多時(shí)候要求寬電壓輸入,所以會(huì)設(shè)計(jì)成90-270V都能正常工作。通常美國(guó)用電范圍為110-130V,日本用電范...
2023-07-11 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS管 2401 0
IGBT動(dòng)態(tài)斬波雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)
對(duì)電力電子工程師而言,功率組件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象,而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的...
伺服系統(tǒng)破局點(diǎn):如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)機(jī)器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場(chǎng)感應(yīng)元器件代替碼盤,因此可以在提高精度的同時(shí)保證體積相對(duì)較小。但是磁電編碼器價(jià)格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對(duì)較高的領(lǐng)域適...
2022-09-08 標(biāo)簽:IGBT光電編碼器工業(yè)機(jī)器人 2395 0
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 2393 0
33W功率段快充可支持20V輸出,給電腦充電,同時(shí)也更適合A+C多口應(yīng)用,更適應(yīng)蘋(píng)果下一代機(jī)型充電,有望替代20W成為電商市場(chǎng)主流。為了滿足快速發(fā)展的快...
電機(jī)控制器由于原來(lái)通過(guò)逆變橋調(diào)制輸出正弦波來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的設(shè)備,變成了多種功能的集合體。集成式電機(jī)控制器包括:①配電回路:為集成控制器各部分提供配電,如TM...
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時(shí)刻,VGE>Vth,溝道開(kāi)啟,電子開(kāi)始通過(guò)溝道注入到基區(qū),同時(shí)背面的集電極開(kāi)始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開(kāi)始產(chǎn)生電流I...
1kA脈沖電流發(fā)生器測(cè)控電路的設(shè)計(jì)案例
脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量,而且電流幅值較大,當(dāng)采集測(cè)試時(shí),對(duì)測(cè)試設(shè)備元器件要求較高。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2376 0
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開(kāi)較大差距。
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