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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1721 0
不間斷電源的產(chǎn)品會(huì)有不同的標(biāo)準(zhǔn),常見(jiàn)會(huì)有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT不間斷電源快恢復(fù)二極管 1716 0
基于PWM脈寬調(diào)制技術(shù)的變頻技術(shù)
就是以PWM方式對(duì)直流電進(jìn)行調(diào)制的變頻器。PWM是脈沖寬度調(diào)制的意思。變頻器是將外界固定頻率的電源先轉(zhuǎn)化成直流,再根據(jù)外電路的需要逆變成所需頻率、電壓的...
良好的器件散熱依賴于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料選擇(熱界面材料與散熱基板)及封裝制造工藝等。
2023-06-04 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池IGBTLED封裝 1708 0
功率半導(dǎo)體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1708 0
?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革
碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái),汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長(zhǎng), 也...
汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用 針對(duì)汽車功率模塊需求,英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,大大提高了IGBT
ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析
用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬(wàn)用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。
逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
IGBT –電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)
與使用內(nèi)燃機(jī)的傳統(tǒng)汽車相比,電動(dòng)汽車的能效要高得多,但這也帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題:來(lái)自電機(jī)的廢熱不再足以滿足車內(nèi)的取暖需求。
2020-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 1689 0
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí),其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器igbt 1688 0
TDK集團(tuán)推出新型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 直流支撐電容器。該元件專為英飛凌科 技公司 (Infineon Technologies) HybridPA...
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
霍爾電流傳感器CHA611在新能源汽車逆變器中的應(yīng)用
意瑞半導(dǎo)體成熟量產(chǎn)產(chǎn)品車規(guī)級(jí)線性霍爾電流傳感器CHA611能有效滿足新能源汽車逆變器應(yīng)用中對(duì)1000A或更高電流進(jìn)行高精度檢測(cè)。累計(jì)出貨近400萬(wàn)片,以...
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