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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
而國內(nèi)在電機、電控領域的自主化程度仍遠落后于動力電池領域的研發(fā)和生產(chǎn)。如IGBT芯片等仍不具備完全自主生產(chǎn)能力,具備系統(tǒng)完整知識產(chǎn)權的整車企業(yè)和零部件企...
脈沖變壓器怎樣組成IGBT驅(qū)動?快速檢查IGBT元器件損壞的方法
IGBT元件往往采用多并聯(lián)形式,因此如果某個IGBT元件發(fā)生故障,將會導致并聯(lián)回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測方法中或多或少存在著一些無法避免...
本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術,即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于 20kA直流電源,若采用功率管IGBT并聯(lián),每個橋臂則至少需15只...
我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對器件的開關過程影響非常大,如果前期設計不注意,后期麻煩事會非常多,例如:器件過壓高、振蕩嚴重,EMI超標等。...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實現(xiàn)改驅(qū)動電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.3萬 0
關于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù),產(chǎn)品設計時對IGBT的選型所關注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多,對于其標稱的電壓、電流和損耗等關注的比較多。當然針對不...
D2PAK封裝雜散電感小, 開關損耗小,價格便宜,表貼安裝于IMS材料上,熱阻低,易于自動化焊接生產(chǎn),可靠性高,非常適合做小巧,輕便,低價,高可靠性的單...
在一些電力電子應用場合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當高的可靠性;為了滿足實際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達到30年,所以,...
基于IEGT技術的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景
中國的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預計將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關IGBT,相...
電磁爐是應用電磁感應加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場,該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時會產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動動產(chǎn)生...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復合而成,兼...
淺談功率半導體的技術與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長一段時間的發(fā)展,功率半導體在相關電源電路中的應用已經(jīng)不可替代。尤其是在當前太陽能著力發(fā)展的時代,功率半導體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
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