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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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板在環(huán)境試驗低溫存儲后(機框下電,-40°存儲24h,恢復到常溫25°,在25°條件下保持2h)上電,發(fā)現(xiàn)有4塊單板未正常啟動。監(jiān)控單板電源,發(fā)現(xiàn)所有問...
基于LM3409芯片的LED恒流驅(qū)動電路設(shè)計
高品質(zhì)的LED照明采用的是恒流驅(qū)動,其中效率最高的是用開關(guān)電源芯片做的恒流驅(qū)動。效率通常可達90%以上;電路比阻容降壓復雜很多,決定了其成本比較高。
2023-08-28 標簽:led變壓器開關(guān)電源 5851 1
LVDS&CML電平設(shè)計基礎(chǔ)知識
LVDS :低電壓差分信號(Low-Voltage Differential Signaling)是美國國家半導體(National Semicondu...
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下,其導電性能隨輸入電壓(通常是柵源電壓Vgs)和輸出電壓(漏源電壓Vds)的變化而保持近似線性的區(qū)域。
MOS管的結(jié)構(gòu)與latchup的形成原因
一般Fabless公司設(shè)計的芯片在工程批回來之后,都會做芯片級的ESD測試和latchup等測試,對很多客戶朋友來說,有可能對latchup稍微陌生,本...
在做STA Signoff時,對于Setup來說選擇Slow Corner,也就是慢工藝(SS)、低壓(Low Voltage)、高溫(High Tem...
詳細分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導通經(jīng)過哪幾個階段,在此過程中MOSFET為什么會發(fā)熱。
MOS管的快速開啟和關(guān)閉(MOS管驅(qū)動電路設(shè)計)
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響...
這就是基于瑞納捷半導體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計的兩線加密煙彈方案,方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下,做到了簡單、低成本、易于實施的設(shè)計目標,可...
2022-04-22 標簽:開關(guān)電路MOS管瑞納捷半導體 5703 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金屬氧化物半導體場效應晶體管,是現(xiàn)代電...
LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件,也是最基本的模擬類電源,由于其輸出噪聲小,電路簡單,所以在各種應用中都...
2023-02-16 標簽:電源嵌入式系統(tǒng)ldo 5680 0
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