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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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到VB端的電壓小于VS+12V,導(dǎo)致芯片老是檢測(cè)到硬件過流信號(hào),從而不能正常驅(qū)動(dòng)MOS管,后將VCC電壓提升到13.5V后,驅(qū)動(dòng)芯片才正常。
電源MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2022-11-08 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率電源 6758 0
MOS管的特性表明,當(dāng)Vgs小于一定電壓(Vth)時(shí),DS極之間的電阻Rds是很大的,可以認(rèn)為開路,電流不能通過;當(dāng)Vgs達(dá)到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通...
開關(guān)管和MOS管是電子電路中常見的兩種半導(dǎo)體器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處,但也存在一些區(qū)別。本文將對(duì)開關(guān)管和MOS管的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)介紹。 ...
2023-12-28 標(biāo)簽:MOS管開關(guān)管半導(dǎo)體器件 6722 0
根據(jù)筆者的經(jīng)驗(yàn)在逆變器和變頻器故障失效的維修案例中有相當(dāng)部分的導(dǎo)致模塊失效的原因是模塊的開關(guān)電源損壞導(dǎo)致的,我們知道構(gòu)成開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有很多種,比如...
2023-10-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器MOS管 6690 0
三極管的基本原理和三種工作狀態(tài) 三極管的應(yīng)用和選型
如果說R、C、L屬于分離電路的基礎(chǔ)元件,那么二極管、三極管、MOS管就屬于集成電路的基礎(chǔ)元件。各種技術(shù)論壇和學(xué)習(xí)網(wǎng)站上都有許多關(guān)于三極管的知識(shí),今天我們...
一些電池供電的設(shè)備,工控類的一些現(xiàn)場(chǎng)終端設(shè)備等,在設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)有一個(gè)供電接口,對(duì)于這些需要直流供電的設(shè)備,在設(shè)計(jì)時(shí)一定需要考慮到其電源接反的情況,否則一但...
充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場(chǎng)調(diào)研
隨著電動(dòng)汽車的快速發(fā)展,充電樁作為電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來越受到中央和地方政府的重視,對(duì)充電樁電源模塊的要求也越來越高,充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
2023-04-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOS管PFC 6638 0
MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端。還有第三個(gè)端子,將這個(gè)端子固定為一定的電位就能夠構(gòu)成三種放大電路。就是說,源極、柵極、漏極中的某個(gè)極...
2022-08-29 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6630 0
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會(huì)導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動(dòng))。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...
寄生電感和MOSFET的交互關(guān)系是什么?雙向開關(guān)電感電路圖分析設(shè)計(jì)
最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間,比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關(guān)損耗降低,最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更...
體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分,它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了,因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來講下關(guān)于體二...
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