mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管特性及其幾種常用驅(qū)動電路詳解，電子工程師手把手教你

MOS管是一種電壓控制型半導(dǎo)體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。工作原理基于半導(dǎo)體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)通和截止。...

2023-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 7234 0

MOS管的原理 MOS管的特點(diǎn)

　　MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的...

2023-02-17 標(biāo)簽：三極管 MOS管晶體管 7223 0

MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。

2023-09-28 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體 MOS管 7219 0

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動型，所以驅(qū)動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動電阻 7213 0

開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)、作用及基本結(jié)構(gòu)

　開關(guān)電源是一種利用電子元器件(如晶體管、二極管、場效應(yīng)管等)控制電流的開關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)電源輸出電壓的調(diào)節(jié)和穩(wěn)定的一種電源。其基本工作原理是通過開關(guān)器件對...

2023-09-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電源 MOS管 7200 0

MOS管損壞的原因及解決方案

MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。

2024-02-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻驅(qū)動器控制器 7172 0

MOS管柵極串聯(lián)電阻作用分享

如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。

2022-10-27 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管 MOS管 7152 0

按鍵開關(guān)電路原理分析

給大家分析一個(gè)按鍵開關(guān)的工作原理，通過對電路的分析，有助于大家提升自己的電路分析能力。

2023-03-14 標(biāo)簽：led 開關(guān)電路 MOS管 7139 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 SiC 7133 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器 MOS管 7113 0

單片機(jī)遙控開關(guān)MOS管詳解

說起單片機(jī)MOS管，有些人的腦子里可能是一團(tuán)漿糊，書上說的文字一大堆，今天小億從物聯(lián)網(wǎng)實(shí)用角度來介紹MOS管中最常用的NMOS，

2022-07-12 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管 NMOS 7071 1

MOS管散熱片接地與不接地對EMC的影響

在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中很多情況下都要考慮EMC的問題。在設(shè)計(jì)中使用MOS管時(shí)，在添加散熱片時(shí)可能會出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。

2020-07-11 標(biāo)簽：MOS管 emc 7012 0

前級驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中的推挽電路設(shè)計(jì)

了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建，分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán)；

2019-05-29 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管推挽電路 6976 0

【實(shí)用電路設(shè)計(jì)案例】緩啟動電路實(shí)例分析與應(yīng)用

本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。

2022-10-25 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管緩啟動電路 6974 0

功率mos管為何會被燒毀？

Mos問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變）...

2020-05-30 標(biāo)簽：CMOS MOS管 6938 0

Flash存儲器的工作原理和基本結(jié)構(gòu)

　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

2023-09-09 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 MOS管 6931 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路的振蕩問題解析

上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb MOSFET MOS管 6882 0

深度剖析MOS管的分類

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2018-11-06 標(biāo)簽：MOS管 JFET 6869 0

MOS管引起靜電擊穿的原因及解決方法

其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷...

2022-05-16 標(biāo)簽：MOS管靜電擊穿 6845 0

全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2023-09-19 標(biāo)簽：電子元器件 MOS管 IGBT 6815 0

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