的尖峰電壓，截止時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓是由電路中的儲(chǔ)能元件釋放的電流引起的突變，過高的尖峰電壓會(huì)影響開關(guān)管的正常工作，需要對(duì)尖峰電壓采取措施抑制尖峰電壓。
2022-08-05 17:48:55
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這是一個(gè)典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實(shí)應(yīng)細(xì)化為：為什么會(huì)有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？
2023-08-25 09:29:00460 
尖峰電壓（或電壓峰值）是指在電氣系統(tǒng)中突然出現(xiàn)的瞬態(tài)過電壓，其峰值大于正常工作電壓的兩倍以上。尖峰電壓是由于閘刀分合、電弧熄滅、電動(dòng)機(jī)負(fù)載突然切斷等原因造成的，可能給電氣設(shè)備和系統(tǒng)帶來損壞和故障
2023-12-08 10:25:542202 高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18:591002 
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45943 
瞬時(shí)電壓會(huì)帶來很大的危害，不僅會(huì)影響供電系統(tǒng)的正常安全供電，還會(huì)損壞電子設(shè)備等，那瞬態(tài)電壓產(chǎn)生的原因是什么，如何測(cè)試？
2018-04-16 06:20:0017689 ，壓根就沒達(dá)到導(dǎo)通條件呀？這ds咋動(dòng)作的？也不是就動(dòng)這一下，是gs的平臺(tái)電壓不管咋波動(dòng)，ds都自個(gè)擱那通斷，也不可能抓錯(cuò)到了別的MOS，三個(gè)相復(fù)測(cè)了好幾遍都這樣，所有管子低壓額定載必復(fù)現(xiàn)。目前往前推發(fā)現(xiàn)
2021-06-28 15:19:40
個(gè)問題，在關(guān)斷的時(shí)候在DS之間會(huì)有很高的尖峰，沖擊電流越大，這個(gè)電壓越高，特別是超過100A的時(shí)候，超過MOS管的耐壓，繼續(xù)下去就會(huì)燒掉，在DS端加電容，反而沒有這個(gè)問題 問題二:在問題一的基礎(chǔ)上
2018-01-19 09:54:42
`到驅(qū)動(dòng)波形Vgs關(guān)閉的時(shí)候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致，沒有死區(qū)時(shí)間 下面是波形 我母線通電30V電壓來測(cè)試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測(cè)兩個(gè)低端MOS管Vds的波形 沒有死區(qū)時(shí)間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會(huì)炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
最近在做一個(gè)Mos管驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，發(fā)現(xiàn)發(fā)燙得厲害，然后參考了其他競(jìng)品發(fā)現(xiàn)都有增加這么一個(gè)二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？在網(wǎng)上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS極間也有個(gè)二極管
2021-09-14 07:49:42
和輸出端所接的電容負(fù)載而異。 產(chǎn)生尖峰電流的主要原因是： 輸出級(jí)的 T3、T4 管短設(shè)計(jì)內(nèi)同時(shí)導(dǎo)通。在與非門由輸出低電平轉(zhuǎn)向高電平的過程中，輸入電壓的負(fù)跳變?cè)?T2 和 T3 的基極回路內(nèi)產(chǎn)生很大的反向
2021-01-26 07:00:00
`請(qǐng)教一下各位大神:像這種尖峰電壓該如何抑制平緩.(本人試過加了TVS管,作用不大)`
2019-11-20 19:47:39
各位大神：現(xiàn)在有馬達(dá)電機(jī)線圈的直流阻值22Ω、電感值4mH、用脈沖電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)電壓會(huì)有200us7.1V的尖峰電壓，本人想在線圈兩端并聯(lián)個(gè)RC電路，具體RC該怎么取值呢
2017-01-20 16:49:42
尖峰電流的形成產(chǎn)生尖峰電流的主要原因尖峰電流的抑制方法
2021-03-16 11:57:18
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達(dá)600多伏。
我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
的IGBT門極開通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門極開通尖峰 圖1b IGBT門極開通尖峰機(jī)理分析：IGBT門極驅(qū)動(dòng)的等效電路如圖2所示： 圖2. IGBT驅(qū)動(dòng)等效電路IGBT開通瞬間門極驅(qū)動(dòng)回路
2021-04-26 21:33:10
原理圖：
layout：
輸出紋波：
紋波出現(xiàn)尖峰，請(qǐng)分析一下原因，感謝
2024-01-03 07:23:38
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。 典型電路： 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
`PFC MOS管DS震蕩波形解決方法PFC的結(jié)構(gòu)原理圖如下：我們的mos管波形在各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的波形都會(huì)不一樣，對(duì)與PFC來說，我們的MOS管波形見圖2，這是因?yàn)槲覀兊墓ぷ髟诹薈CM模式下
2021-03-30 11:15:21
在使用AD7606的時(shí)候，以1.5kHz的采樣頻率，以字節(jié)并行模式，讀取頻率為50Hz的正弦信號(hào)，發(fā)現(xiàn)在過零點(diǎn)附近，會(huì)產(chǎn)生尖峰信號(hào)。經(jīng)過調(diào)試，發(fā)現(xiàn)是最高位，也即符號(hào)位讀錯(cuò)了，所以導(dǎo)致了尖峰的存在。請(qǐng)問有人遇到過這樣的問題嗎？
2023-12-11 08:03:07
如圖為無刷直流電機(jī)控制器的MOS端VDS和VGS波形，VDS除了關(guān)斷瞬間有個(gè)電壓尖峰外，在中間還有兩個(gè)電壓尖峰很大，通過看其他兩相的VDS發(fā)現(xiàn)，此處的電壓尖峰為其他管開關(guān)時(shí)引入的，如何破解？
2019-11-01 13:59:36
5V VCC 經(jīng)過電阻分壓后產(chǎn)生2.5V電壓，該電壓經(jīng)過電壓跟隨器為余下運(yùn)放提供虛地，AD8615輸出的電壓信號(hào)為啥產(chǎn)生了尖峰？
2023-11-15 06:36:05
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請(qǐng)問是什么原因導(dǎo)致MOS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
本周在技術(shù)交流群中有群友拋出這么一個(gè)問題：反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個(gè)典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級(jí)寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)我并沒有充分理...
2021-10-29 06:21:18
1、發(fā)電機(jī)軸電壓產(chǎn)生的原因 （1）、磁不對(duì)稱引起的軸電壓它是存在于汽輪發(fā)電機(jī)軸兩端的交流型電壓。由于定子鐵芯采用扇形沖壓片、轉(zhuǎn)子偏心率、扇形片的導(dǎo)磁率不同，以及冷卻和夾緊用的軸向?qū)Р鄣劝l(fā)電機(jī)
2020-12-09 16:27:46
承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了
2018-11-08 14:13:40
。 法則之二：確定MOS管的額定電流 該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式
2016-01-26 10:30:10
電路圖如下：開關(guān)電源芯片viper22a DS極電壓波形如下：對(duì)于mos管開通瞬間的尖峰消除，大家有沒有什么好的方法？謝謝！
2019-03-26 09:24:26
`用雙E逆變器進(jìn)行測(cè)試，中間沒接負(fù)載珊級(jí)波形正常，為啥ds波形會(huì)出現(xiàn)后面兩種情況？左邊波形是測(cè)左邊mos管ds波形，右邊是右邊的mos管ds波形第三個(gè)圖是雙E逆變器，中間沒接虛線框負(fù)載`
2020-07-01 23:03:13
想測(cè)試兩個(gè)MOS管的漏極電流，可在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)Q1這了MOS管DS經(jīng)常擊穿，請(qǐng)問這個(gè)什么原因造成的？
2021-08-27 16:00:00
開關(guān)電源產(chǎn)生EMI的原因較多,其中由基本整流器產(chǎn)生的電流高次諧波干擾和變壓器型功率轉(zhuǎn)換電路產(chǎn)生的尖峰電壓干擾是主要原因. 基本整流器的整流過程是產(chǎn)生EMI最常見的原因.這是因?yàn)檎也娫赐ㄟ^整流器后
2009-10-13 08:37:01
大家好，這是單端正激式開關(guān)電源MOS管的ds波形，我想知道（1）T1T2T3波形是怎么產(chǎn)生的，（2）T1里面還有震蕩，圖里面看不出來，這個(gè)震蕩是漏感和MOS管的ds極間電容產(chǎn)生的嗎（3）A處的尖峰是漏感產(chǎn)生的嗎（4）Us是不是次級(jí)線圈反射過來的電壓（5）在波形中如何來區(qū)分他是連續(xù)模式還是斷續(xù)模式？
2020-11-27 19:42:48
高頻逆變器推挽方式前級(jí)升壓mos尖峰問題怎么解決驅(qū)動(dòng)是sg3525，開環(huán)的時(shí)候波形很好， 當(dāng)變壓器副邊升壓到420V開始穩(wěn)壓的時(shí)候，sg3525就開始調(diào)整占空比這時(shí)候就有尖峰
2023-10-08 10:59:26
`大家好，我在做一個(gè)簡(jiǎn)單的低端驅(qū)動(dòng)，使用mos管驅(qū)動(dòng)電磁閥，電路及參數(shù)如下圖，mos管G極信號(hào)是0-12V。現(xiàn)在的問題是當(dāng)mos管打開時(shí)，DS兩端電壓會(huì)逐漸上升，至6v左右，下圖中黃線為控制信號(hào)，紫線為DS電壓。請(qǐng)問這種現(xiàn)象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的尖峰脈沖電壓是不會(huì)對(duì)功率MOS管產(chǎn)生損壞的。 六、由驅(qū)動(dòng)電壓選取VTH 不同電子系統(tǒng)的功率MOS管選取的驅(qū)動(dòng)電壓并不相同，AC/DC電源通常使用12V的驅(qū)動(dòng)電壓，筆記本的主板DC/DC變換器
2018-11-19 15:21:57
耦合后會(huì)在MOS管的柵極輸入端產(chǎn)生振蕩電壓,振蕩電壓會(huì)破壞MOS管的氧化層。 三、MOS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏極的高電壓會(huì)通過MOS管內(nèi)部的漏源電容偶合到功率MOS管的柵極處,使MOS管受損。 四
2018-10-19 16:21:14
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
浪涌電壓/電流產(chǎn)生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當(dāng)某些大容量的電氣設(shè)備接通或斷開時(shí)間，由于電網(wǎng)中存在電感，將在電網(wǎng)產(chǎn)生“浪涌電壓”，從而引發(fā)浪涌電流。 簡(jiǎn)單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
VBAT是接電池，上電的瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓尖峰，可能會(huì)燒壞U11，應(yīng)該怎么降低或者消除這個(gè)電壓尖峰。
2016-12-13 15:29:23
進(jìn)行DCDC部分MPPT實(shí)驗(yàn)時(shí)，設(shè)置的最大功率點(diǎn)處的電壓30v，電流1.2a，但實(shí)驗(yàn)中一直有電流尖峰出現(xiàn)，導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定，而且尖峰值一旦到達(dá)程序中設(shè)定的最大電流值，電路即過流保護(hù)斷開。但是不明白這個(gè)電流尖峰是哪里引發(fā)的？？？謝謝大家的解答！！附件中為傳感器波形。下圖是觸發(fā)過流保護(hù)瞬間的截圖。
2020-07-24 16:39:20
調(diào)試EMC問題，把變壓器調(diào)整了一下，EMC調(diào)好了，結(jié)果MOS管尖峰電壓有200V多，沒改之前只有100V左右，希望有大神教下怎樣計(jì)算反激原邊漏感尖峰電壓，謝謝
2018-10-19 17:17:54
網(wǎng)上基本都是說，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問下，當(dāng)MOS管開通時(shí)，這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
PWM調(diào)速電路中， 如果電源電壓為20V，電機(jī)在關(guān)斷時(shí)該電源電壓產(chǎn)生尖峰導(dǎo)致MOS管Vgs電壓 超過20V了，請(qǐng)問如何抑制這個(gè)尖峰，或者說如何降低VGS。
2018-12-05 09:30:31
控制bldc時(shí)，mos管的gate端，出現(xiàn)尖峰脈沖，如何去除？測(cè)量電源電壓同樣有這種脈沖干擾，我已經(jīng)在電源處增加了3000uf的濾波電容。碰到過這種情況的兄弟，請(qǐng)指點(diǎn)一下
2019-06-27 04:36:02
控制bldc時(shí)，mos管的gate端，出現(xiàn)尖峰脈沖，如何去除？測(cè)量電源電壓同樣有這種脈沖干擾，我已經(jīng)在電源處增加了3000uf的濾波電容。碰到過這種情況的兄弟，請(qǐng)指點(diǎn)一下。最后附上驅(qū)動(dòng)電路。
2019-07-01 04:36:07
輸入電壓110V，緩啟動(dòng)后面接了兩個(gè)220uf電容。以前同樣的電路實(shí)驗(yàn)沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結(jié)果燒mos管。我猜測(cè)原因如下，不知道對(duì)不對(duì)，請(qǐng)各位大神指教。電源上電的時(shí)候
2020-05-20 10:06:20
MOS管的額定電流，該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)
2019-01-10 11:52:27
最大的兩個(gè)損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，以下分別對(duì)這兩種損耗做具體分析。 導(dǎo)通損耗 導(dǎo)通損耗具體來講是由MOS管的導(dǎo)通阻抗Rds產(chǎn)生的，Rds與柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vgs和流經(jīng)MOS管的電流有關(guān)。如果想要
2016-12-23 19:06:35
電源變換器的尖峰電壓抑制器電路圖
2009-06-25 11:40:10794 
通信系統(tǒng)過電壓產(chǎn)生的原因與防護(hù)
摘要：敘述在通信系統(tǒng)中過電壓產(chǎn)生的原因、雷電的形成、防護(hù)的措施以及各種防護(hù)器件。
關(guān)鍵詞：過電壓雷電防護(hù)器
2009-07-11 08:30:07904 
變頻器過電壓產(chǎn)生的原因及解決方法
過電壓現(xiàn)象在變頻器在調(diào)試與使用過程中經(jīng)常會(huì)遇到。過電壓產(chǎn)生后，變頻器為了防止內(nèi)部電路損壞，其過電
2009-12-30 14:35:064260 MOS管損毀原因總結(jié)
2017-06-19 14:22:32
26 上面我們已經(jīng)分析了Q1，Q2兩管漏極產(chǎn)生尖峰的原因，下面我們就來想辦法消除這個(gè)尖峰了。我想到的辦法就是Q1，Q2的漏極到電池的正極加一個(gè)開關(guān)，當(dāng)然這個(gè)開關(guān)也由MOS管來充當(dāng)，當(dāng)然其它功率管也行。這個(gè)開關(guān)只在Q1，Q2都截止時(shí)才導(dǎo)通，用電路實(shí)現(xiàn)如圖7所示：
2017-06-29 15:13:422072 BUCK 變換器在開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間 由于線路上存在感抗 會(huì)在主功率管和二極管上產(chǎn)生電
壓尖峰 使之承受較大的電壓應(yīng)力和電流沖擊 從而導(dǎo)致器件熱損壞及電擊穿。因此 為避免此現(xiàn)象 有必要對(duì)電壓尖峰的原因進(jìn)行分析研究 找出有效的解決辦法。
2017-09-28 11:32:3234 在大功率 Buck變換器中電路工作于高頻開關(guān)狀態(tài)由于實(shí)際線路的寄生參數(shù)和器件的非理 想特性的影響 開關(guān)器件兩端會(huì)出現(xiàn)過高的 電壓和電流尖峰嚴(yán)重地降低了電路的可靠性。本文詳細(xì)分析了兩種尖峰產(chǎn)生的原因
2017-09-28 11:29:3828 變換的理想拓?fù)渲弧?但是，傳統(tǒng)移相全橋ZVS PWM DC/DC變換器其副邊整流二極管在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩和尖峰電壓，其原兇是原邊諧振電感會(huì)與整流二極管寄生電容發(fā)生諧振，諧振會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓和震蕩，增加了損耗，嚴(yán)重影響二極管使用壽命。
2017-11-06 10:08:2222 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個(gè)，一個(gè)是雷電，另一個(gè)是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開（包括補(bǔ)償電容的投切）時(shí)產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
本文開始介紹了電壓降的概念和產(chǎn)生電壓壓降的原因，其次闡述了電壓降是怎么產(chǎn)生以及分析了哪些場(chǎng)合需要考慮電壓降，最后介紹了電壓降的估算值。
2018-04-03 15:44:2587744 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
做電源的都測(cè)試過流過高壓MOS的電流波形，總會(huì)發(fā)現(xiàn)電流線性上升之前會(huì)冒出一個(gè)尖峰電流，并且有個(gè)時(shí)候甚至比正常的峰值電流還要高。看起來很不爽。那這尖峰怎么來的，如何減小它呢？
2019-02-17 09:15:4912032 
高壓系統(tǒng)（110KV及以上供電電壓等級(jí)）是中性點(diǎn)直接接地系統(tǒng)，相線對(duì)地有相電壓數(shù)值的電位差，這就是高壓系統(tǒng)產(chǎn)生零序電壓的原因。
2019-11-22 10:32:1555229 
上上期我們提到了buck電路的開關(guān)的振鈴波形，本質(zhì)原因是LC的阻尼振蕩。文章偏理論，那BUCK到底是怎么產(chǎn)生尖峰振蕩呢？ 問題 本期主要分析以下這兩個(gè)問題： 1、死區(qū)時(shí)間是什么？這里有個(gè)小臺(tái)階
2021-07-06 08:56:3318619 
計(jì)生電感L2會(huì)產(chǎn)生很高的電壓幅值（在SW節(jié)點(diǎn)）。且，之后L1、L2與VD反向恢復(fù)時(shí)的等效電容C產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引發(fā)更高的電壓尖峰，且伴隨著振鈴現(xiàn)象。NOTE：本質(zhì)上是因?yàn)?】寄生L和C（儲(chǔ)能元件）的...
2021-10-21 15:51:0518 補(bǔ)償 NCP1250 OPP 引腳上的負(fù)電壓尖峰
2022-11-15 19:51:470 R4電阻，D1二極管，C6電容是尖峰吸收電路，因?yàn)槭请娮桦娙荻O管組成的電路，簡(jiǎn)稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢，是因?yàn)橐Ｗo(hù)MOS管過壓擊穿，把峰值電壓限制在MOS管耐壓之內(nèi)。這樣MOS管就可以安全地工作了，那么它是如何工作的呢。
2022-11-23 09:30:4823376 為了提高電子產(chǎn)品的可靠性和人體自身的安全性，必須對(duì)電壓瞬變和浪涌采取防護(hù)措施。 產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。 電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。
2022-12-08 09:37:104841 mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
2022-12-29 14:55:005398 Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 使用DCDC同步電源過程中，測(cè)試波形會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰過沖問題，文中給出調(diào)試此問題過程中的解決方法。
2023-02-15 08:58:459419 
上節(jié)我們講了開關(guān)管的電壓尖峰的產(chǎn)生原理，有的人會(huì)問我：為什么我們要關(guān)注電壓尖峰呢?我們不用電感不就行了?
2023-03-10 16:59:565917 
上節(jié)我們認(rèn)識(shí)了開關(guān)管的第一種電壓尖峰的抑制手段，就是利用TVS或者穩(wěn)壓管工作時(shí)的電流再次對(duì)開關(guān)管的門極進(jìn)行充電，讓開關(guān)管的門極的變化不在劇烈，因此能讓開關(guān)管的電壓尖峰抑制到合理的范圍。開關(guān)管還有其他的電壓尖峰抑制方式嗎?
2023-03-10 17:00:382525 
先講連續(xù)時(shí)或臨界時(shí)MOS管DS波形，在講斷續(xù)模式下mos管Ds波形。
2023-03-16 11:13:465262 
最近在做一個(gè)Mos管驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，發(fā)現(xiàn)發(fā)燙得厲害，然后參考了其他競(jìng)品發(fā)現(xiàn)都有增加這么一個(gè)二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？ 在網(wǎng)上找到了原因，如下： 再看MOS管本身DS極間也有
2023-03-20 14:41:495 ，在下管關(guān)斷后下管體二極管續(xù)流時(shí)，開通了上管，導(dǎo)致“瞬時(shí)直通”，直通電流被二極管強(qiáng)迫恢復(fù)關(guān)斷，在線路寄生電感上造成壓降，疊加在處于關(guān)斷態(tài)的下管。圖中的圓圈2，表明反向恢復(fù)態(tài)也存在直通可能，但電壓尖峰主要是圓圈1產(chǎn)生的。
2023-03-23 09:35:403339 
我們發(fā)現(xiàn)，在模塊從空載到短路跳變，短路關(guān)機(jī)后到短路態(tài)的過程中，短路態(tài)到空載的過程中上管還是存在電壓尖峰，如圖32所示，而且這個(gè)尖峰無論是120nS還是190nS都存在，尖峰產(chǎn)生的具體原因不明，只能推測(cè)和功率管的反向恢復(fù)有關(guān)!
2023-03-24 11:07:122250 
產(chǎn)生尖峰電流的另一個(gè)原因是負(fù)載電容的影響。與非門輸出端實(shí)際上存在負(fù)載電容 CL，當(dāng)門的輸出由低轉(zhuǎn)換到高時(shí)，電源電壓由 T4 對(duì)電容 CL 充電，因此形成尖峰電流。
2023-04-21 14:53:411764 硬開關(guān)電源最頭疼的應(yīng)該是MOSFET電壓應(yīng)力尤其是續(xù)流管的尖峰電壓抑制，這涉及到MOSFET的可靠性，和效率及熱性能是互相折中的。
2023-06-23 11:12:001513 
電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS管在線工作，而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓比電源高幾V，P-MOS就相反了。未完全打開，壓降過大，導(dǎo)致功耗大，等效DC阻抗大，壓降大，U*I大，損耗意味著加熱。這是設(shè)計(jì)電路中最禁忌的錯(cuò)誤。
2023-06-18 14:46:07554 MOS開啟電壓一般為多少？ MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中，MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字信號(hào)處理、高速數(shù)據(jù)傳輸和電子設(shè)備控制等方面
2023-09-02 11:14:045949 斷開電源瞬間發(fā)生的電感峰值和二極管峰值等，會(huì)對(duì)電路的穩(wěn)定性產(chǎn)生負(fù)面影響。因此，在反激電路中需要使用一些電路來吸收這些尖峰，以保護(hù)電路的穩(wěn)定性。 反激電路尖峰產(chǎn)生原因 在反激電路中，尖峰的產(chǎn)生原因像我們上述所說
2023-09-17 10:46:551929 大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。
2023-09-19 09:57:23494 
什么是電壓崩潰？產(chǎn)生電壓崩潰的原因? 電壓崩潰是指電源或電路中的電壓突然下降或消失的現(xiàn)象。它可能由多種原因引起，包括電源故障、電路過載、電路短路、電纜接觸不良、電子元件老化等。在本文中，我們將詳細(xì)
2023-12-20 17:05:40513 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對(duì)MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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