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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發揮氮化鎵MOS管的優勢...
從t1時刻開始，MOS進入了飽和區。在飽和有轉移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時又處于...
比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進行通訊建立連接關系時，就需要進行電平轉換。
為了保護電路板上的其他組件，在將mos管連接到電路之前對其測試至關重要。mos管主要有三個引腳：漏極、源極和柵極。
每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源...
Mos開關原理（簡要）：Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻...
場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態：共源極放大電路、共漏極放大...
FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）”，先從大家較耳熟能詳的“MOS”來說明。
Innovus教程：輸出用于LVS的Verilog網表文件 各種控制選項
有時候網表中可能會有一些空的module（在網表中體現為Module下面沒有Cell或者準確說沒有含MOS管的有效器件），而它們在版圖里面也是不存在的，...
耗盡型MOS管（也稱為增強型MOS管）是一種常用的場效應管。它是由金屬-氧化物-半導體（MOS）結構組成的。在這種器件中，半導體基片分為N型和P型區域，...
這里使用的 運放是 LM358 mos管是2N6755 (Nmos) 想讓其能夠輸出 1A 的恒流 （當然恒流限定了所帶負載范圍，下面說） 設計恒定電流...
上一篇推文中我們已經說了，驅動繼電器的時候，通常我們會采用三極管來配合單片機IO口。至于為什么不直接用單片機IO口驅動，非得加個三極管，在上一篇推文中我...
MOSFET即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，其全稱為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...
DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
場效應管柵極的最小寬度(柵長)，就是XX nm工藝中的數值。柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現出來就是手機常見的發熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。
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