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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導率。發明MOS管是為了克服FET中存在的缺點，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個關鍵參...
不嚴謹地說，共柵級與共源級是一樣的。回看單級放大器1中的電阻負載的共源級，與圖3.1.1相比，兩者最大的不同是共源級從柵極輸入信號，而共柵級從源極輸入信號。
MOS管，其內部結構見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對于N溝道的場效應管其源...
三極管屬于電流型驅動元器件，因此一般在基極都會串一個限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會下拉一個電阻呢？舉例說明。如下圖，是溫度開關控制馬達電路圖。
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細微之處，希望同學們能精準識別三種特性曲線的區別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個重要現象——Mille...
在實際應用中，G極一般串聯一個電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩壓二極管，并聯在分壓電阻上的電容，有一個軟啟動的作用。
占空比（Duty Ratio或Duty Cycle）是指在一個脈沖循環內，通電時間（或有效時間）相對于總時間所占的比例。在電子學和通信領域，占空比是一個...
用tran仿真時，outputs-to be saved，選原理圖上的節點terminal，自然可以仿真出電流，但電流有正有負，方向應該是從哪頭流到哪頭呢？
本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。
嵌入式系統中，當兩個不同供電電壓的單片機之間需要通訊，或者單片機與不同電壓的外圍芯片進行通訊時，不可避免地要進行電平轉換，否則會出現通訊不成功，甚至電壓...
基于IGBT的固態脈沖調制器設計與實現，使用電阻控制IGBT開關的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當仿真線向不匹配的負載放電會在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的，其電阻通常選擇和負載阻抗相等，而電容...
光電三極管是一種半導體器件，能夠感應光水平并根據其接收的光水平來改變在發射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應光并改變晶...
? 前幾天看了下阿莫論壇，一個帖子引起了我的注意，作者宋工的一批產品出了大問題，帖子也是非常火，蓋了100多樓，目前為止還沒有測試完畢，還沒有解決，大伙...
相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么？
MOS管數據手冊上的相關參數有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數據手冊一般會包含哪些參數吧。
爬電距離：輸入電壓50V-250V時，保險絲前L—N≥2.5mm，輸入電壓250V-500V時，保險絲前L—N≥5.0mm；電氣間隙：輸入電壓50V-2...
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