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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發展,主板的供電設計也迎來了更多的挑戰,大電流、高效率、空間占用小、動態響應快、保護更智能的需求使得傳統的采用分...
上一篇推文中我們已經說了,驅動繼電器的時候,通常我們會采用三極管來配合單片機IO口。至于為什么不直接用單片機IO口驅動,非得加個三極管,在上一篇推文中我...
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結合上下管,即當上管導通時,下管必...
1腳就是柵極,這個柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關斷了...
晶體管開關電路(工作在飽和狀態)在現代電路設計應用中很常見。經典的74LS、74ALS和其他集成電路內部使用晶體管開關電路,但它們只有共同的驅動能力。晶...
放大器設計:晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區別
對于BJT晶體管,電流從一個基極到另一個發射極,決定了從集電極到發射極能流多少電流。 對于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
MOS在控制器電路中的工作狀態:開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。
本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關系。NMOS的剖面結構圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...
電平轉換電路在電路設計中會經常用到,市面上也有專用的電平轉換芯片,專用的電平轉換芯片主要是其轉換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對速度要求不高...
使用SIC MOS的開發人員是越來越多,但驅動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術,有些感悟分享給大家。
MOS,即場效應管,四端器件,S、D、G、B四個端口可以實現開和關的邏輯狀態,進而實現基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性:NMOS高電平...
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