完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5595個 瀏覽:219471次 帖子:1132個
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
當(dāng)續(xù)流二極管正向?qū)〞r,輸出電流變化,二極管的正向壓降是恒定不變的,鍺管的壓降為0.3V,硅管的壓降為0.7V。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源續(xù)流二極管 4498 0
用LT8316簡化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)
LT8316 采用耐熱性能增強(qiáng)型 20 引腳 TSSOP 封裝,并移除了 8316 個引腳以實(shí)現(xiàn)高電壓間隔。通過對來自第三個繞組的隔離輸出電壓進(jìn)行采樣,...
2023-01-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 4497 0
所有的MOSFET都有體二極管嗎?它有什么作用呢?硬件工程師要搞懂的電路知識點(diǎn)
Part 01 前言 與三極管等其他的有源器件相比,MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)...
Buck-Boost型變換器的工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域
Buck-Boost型變換器,也稱為Buck-Boost轉(zhuǎn)換器或升降壓變換器,是一種特殊的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器,其顯著特點(diǎn)在于其輸出電壓既可以...
2024-08-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變換器 4465 0
A6862主要特性和優(yōu)勢_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動器,具有三個獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個單個MOSFET (S1) 和一個單個二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4455 0
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 4421 0
功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時間(short circuit withstand time SCWT)
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實(shí)測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動 4384 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |